STP20NM60 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP20NM60

商品编码: BM0000287424
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.775g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 192W 600V 20A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
8.78
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.78
--
1000+
¥8.48
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP20NM60参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ@10V,10A
功率(Pd)192W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@480V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)35pF@25V工作温度-65℃~+150℃

STP20NM60手册

STP20NM60概述

STP20NM60 产品概述

产品简介

STP20NM60 是一款具有高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其主要特点为漏源电压(Vdss)高达 600V,连续漏极电流(Id)可达 20A,充足的额定功率耗散(192W),使其在高电压和高电流应用中表现出色。该产品广泛应用于开关电源、高压电源、直流马达控制及其他需要高电压和大电流的电子电路中。

主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压为 600V,适合高压场合,确保在电源开关和功率转换电路中,能够安全稳定地工作。

  2. 连续漏极电流(Id): 其在 25°C 环境下的最大连续漏极电流为 20A,可以适应较大负载需求,特别是在开关频率较高的情况下表现优异。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该 MOSFET 在 250µA 的漏极电流下,栅源极阈值电压为 5V,确保在合理的驱动电压下能够迅速导通。

  4. 导通电阻(Rds(on)): 在 10A 和 10V 的条件下,漏源导通电阻为 290mΩ,较小的导通电阻可以有效降低导通损耗,提高整体效率,是现代电源设备的理想选择。

  5. 栅极电荷(Qg): 在 10V 的驱动电压下,最大栅极电荷为 54nC,较小的栅极电荷意味着在开关操作时更高的效率与更快的开关速度,有助于降低高频工作时的功耗。

  6. 工作温度: STP20NM60 的最大工作温度为 150°C(夹层温度,TJ),确保在高温环境下依然能够安全稳定工作,适用于严苛的应用场景。

  7. 封装类型: 该 MOSFET 采用 TO-220AB 封装,便于散热和安装,适合多种应用需求。

应用领域

STP20NM60 的诸多特性使其被广泛应用于多个电子行业,主要包括:

  • 开关电源: 由于其高压需求与高效率性能,使得该 MOSFET非常适合用于开关电源中的功率转换元件。

  • 马达控制: 该设备可用于直流电机驱动电路,提供必要的电流和电压支持,并在开关过程中保持低损耗。

  • 高压电源: STP20NM60 的高电压特性使其能够在高压电源中作为开关元件,保证信号的稳定与安全。

  • 电能转换设备: 适用于电能转换器和其他高功率电子设备,提升能效并减少不必要的能量损耗。

结论

作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,STP20NM60 以其出色的电压电流性能,适中的导通电阻,以及广泛的应用范围,成为了电子行业中重要的功率元件。无论是在开关电源还是在高压马达控制中,该产品都能提供可靠的性能,并满足现代电子设备对于高效、稳定和高功率的需求。对于设计工程师而言,STP20NM60 是高压应用的理想选择,能够帮助其在设计过程中实现高效能和高可靠性。