STW9N150参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 320W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89.3nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 3.255nF |
| 反向传输电容(Crss) | 22.4pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 294pF |
STW9N150手册
STW9N150概述
STW9N150 产品概述
产品背景
STW9N150 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件被广泛应用于各种电力电子电路中,尤其是高电压和高功率应用场合,例如电源转换、工业驱动、开关电源以及电动汽车等领域。
技术规格
STW9N150 的关键参数包括:
- 漏源电压(Vdss): 1500V,意味着它能够承受高达 1500V 的电压,适用于高压电路。
- 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时,最大连续漏极电流为 8A,这使得该器件在高功率应用中具有良好的传导能力。
- 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 在 250µA 流过时,阈值电压为 5V,这提供了在不同电源电压条件下的可靠开关特性。
- 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 4A 和 10V 的条件下,最大导通电阻为 2.5Ω,确保较低的导通损耗和高效的电力传输。
- 栅极电荷(Qg): 最大值为 89.3nC @ 10V,影响开关速度和驱动电路设计的需求。
- 功率耗散(Pd): 最大功率耗散为 320W(在结温Tc条件下),使其能够在高负载条件下稳定工作。
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C,适用各种严苛的工作环境。
- 封装类型: TO-247-3 形式,适合通孔安装,便于散热和安装。
应用领域
基于其卓越的电气特性,STW9N150 主要适用于以下领域:
开关电源: 在高频开关电源中,STW9N150 的高工作电压和良好的开关特性使得它成为理想选择。其低导通电阻有助于提高转换效率,减少温升。
工业电机驱动: 在电机控制和驱动电路中,该MOSFET 可用于高压驱动,具有优异的热管理能力,提升电机的效率和可靠性。
电动汽车: 随着电动车的普及,STW9N150 的应用前景也日益广阔,其可以用于电能转换和高压直流系统,帮助提高电动汽车的续航能力。
可再生能源: 在光伏逆变器和风力发电系统中,高效的功率转换对系统整体性能至关重要,STW9N150 的高电压和功率能力使其适合用于这些应用中。
总结
STW9N150 是一款设计优秀、高度集成的 N 沟道 MOSFET,具备1500V的高漏源电压和8A的连续电流能力,能够满足现代电力电子行业对高性能器件的需求。无论是在高频开关电源,还是在高电压电机驱动和电动汽车等应用场合,STW9N150 的强大性能和可靠性均使其成为这些领域的理想选择。通过合理的电路设计和散热管理,STW9N150 能够在各种恶劣工况下高效稳定地工作,从而为客户的产品提供了更高的性能和竞争力。
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