漏源电压(Vdss) | 1500V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 8A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.5Ω @ 4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 320W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 1500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 欧姆 @ 4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 89.3nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3255pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 320W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
产品背景
STW9N150 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件被广泛应用于各种电力电子电路中,尤其是高电压和高功率应用场合,例如电源转换、工业驱动、开关电源以及电动汽车等领域。
技术规格
STW9N150 的关键参数包括:
应用领域
基于其卓越的电气特性,STW9N150 主要适用于以下领域:
开关电源: 在高频开关电源中,STW9N150 的高工作电压和良好的开关特性使得它成为理想选择。其低导通电阻有助于提高转换效率,减少温升。
工业电机驱动: 在电机控制和驱动电路中,该MOSFET 可用于高压驱动,具有优异的热管理能力,提升电机的效率和可靠性。
电动汽车: 随着电动车的普及,STW9N150 的应用前景也日益广阔,其可以用于电能转换和高压直流系统,帮助提高电动汽车的续航能力。
可再生能源: 在光伏逆变器和风力发电系统中,高效的功率转换对系统整体性能至关重要,STW9N150 的高电压和功率能力使其适合用于这些应用中。
总结
STW9N150 是一款设计优秀、高度集成的 N 沟道 MOSFET,具备1500V的高漏源电压和8A的连续电流能力,能够满足现代电力电子行业对高性能器件的需求。无论是在高频开关电源,还是在高电压电机驱动和电动汽车等应用场合,STW9N150 的强大性能和可靠性均使其成为这些领域的理想选择。通过合理的电路设计和散热管理,STW9N150 能够在各种恶劣工况下高效稳定地工作,从而为客户的产品提供了更高的性能和竞争力。