IRFB3306PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.75g
描述 :
场效应管(MOSFET) 230W 60V 120A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
2539(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
3.44按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.44
--
50+
￥2.64
--
1000+
￥2.2
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFB3306PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 120A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 150uA | 漏源导通电阻 | 4.2mΩ @ 75A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 230W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 75A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 120nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4520pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB3306PBF手册
IRFB3306PBF概述
产品概述：IRFB3306PBF N沟道MOSFET
一、基本信息
IRFB3306PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、电子开关和功率转换等多种场合。该器件的关键参数包括：漏源电压（Vdss）为60V，最大连续漏极电流（Id）为120A（在25°C环境下），其导通电阻（Rds On）在75A时可低至4.2mΩ，极低的导通损耗使其在各种应用中表现出色。
二、性能指标
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 连续漏极电流 (Id)：120A @ 25°C
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：4V @ 150µA
- 漏源导通电阻 (Rds On)：4.2mΩ @ 75A, 10V
- 最大功率耗散：230W (Tc)
- 工作温度范围：-55°C 至 175°C
该器件采用TO-220AB封装，适合通孔安装，可以便捷地集成到不同的电路板设计中。此外，其最大的栅极电压为±20V，保证了设备的安全工作范围。
三、技术特点
IRFB3306PBF使用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，通过电压栅极控制漏源极之间的电流流动。其特点包括：
- 高开关速度：由于其低导通电阻，这款MOSFET能够在较小的栅极电压下快速开启和关闭，适合高频率应用。
- 高效能：低导通电阻意味着在高电流运行中功率损耗极低，从而提高系统效率并降低热量生成。
- 宽温度范围：其工作温度范围广泛，从-55°C至175°C，适应各种恶劣环境，特别适合汽车、工业控制和航空航天领域。
四、应用领域
IRFB3306PBF被广泛应用于以下几个领域：
- 电源供应电路：用于高效DC-DC转换器和功率放大器中，能够处理大量电流并提供稳定的输出。
- 电动汽车：由于其高功率密度和散热性能，该MOSFET常用于电动汽车中，促进驱动电机和充电系统的高效运行。
- 工业自动化：在各类电子控制装置中，大电流的开关控制需求使其成为工业自动化系统的理想选择。
- 消费电子：如开关电源和LED驱动器，灵活性和功率效率使其在这一领域也占有一席之地。
五、设计与封装
IRFB3306PBF的TO-220AB封装是针对需要较高功率散热的应用设计的，有助于快速散发热量，保持稳定的工作温度。在电路设计中，考虑到其引脚排列，设计人员可以轻松进行布局和走线，以确保最佳的电气性能和热管理。
六、结论
IRFB3306PBF是一款具有优异性能和多种应用前景的高效N沟道MOSFET，凭借其在高电流、大电压下的低导通电阻及强大的功率处理能力，成为现代电力电子设计的重要组成部分。无论是在高效电源转换、汽车电子，还是工业控制系统中，这款MOSFET都能提供可靠的解决方案，助力提升设备性能与效率。