SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3 产品概述

概述

SI2302CDS-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于各类电子设备中。该器件特别适合需要较高电流和低导通电阻的场合，能够提供优异的开关性能和热性能，且在小型封装中具备优秀的功率处理能力。

产品特点

1. 漏源电压（Vdss）: SI2302CDS-T1-GE3 的最大漏源电压为 20V，适用于低电压的功率管理和开关电源设计。

2. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，该 MOSFET 的连续漏极电流为 2.9A，这使其在实际应用中能够承载相对较大的电流，适合电池管理、无刷电机驱动和开关电源等应用。

3. 导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5V 的栅源电压下，SI2302CDS-T1-GE3 的导通电阻为 57mΩ @ 3.6A。这一特性确保了器件在通电时的功率损耗极小，提高了电路的能效，非常适合用于高频开关电源及电源管理任务。

4. 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 本器件的阈值电压为 850mV，能够在较低的驱动电压下有效开启。这使得其在低电压应用中表现出色，有助于减少驱动电路的功耗。

5. 低栅极电荷（Qg）: 栅极电荷最大值为 5.5nC @ 4.5V，表明其驱动效率较高，适合快速开关应用，能够显著提高设计的快速响应能力。

6. 封装类型: SI2302CDS-T1-GE3 采用了小型 SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装，该封装形式减小了电路板的空间占用，使得该器件容易集成进更紧凑的电子设备中，从而满足现代电子产品对空间和重量的要求。

7. 工作温度: 该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，十分适合于极端环境或高温应用条件下的操作，例如汽车电子以及工业控制等领域。

8. 功率耗散: 在环境温度 25°C 下，其最大功率耗散为 710mW，能够处理相当可观的功率，适合多种高密度电路设计需求。

应用场景

SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 适用于多种应用场合，如：

• 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器等设备中用作开关元件，提升效率并减少损耗。

• 电池保护: 在电池管理系统中用于过电流保护、过充电保护等关键安全功能。

• 无刷电机驱动: 作为电机控制电路中的开关元件，提高应用的响应速度和控制精度。

• 汽车电子: 其广泛的工作温度范围和高耐压特性，使其成为汽车应用中的可靠选择。

• 家用电器: 在电机驱动和功率转换电路中日益普遍的使用。

总结

SI2302CDS-T1-GE3 为设计师提供了一种高效能的 N 沟道 MOSFET 解决方案，支持多种高性能应用。凭借其出色的导通电阻、低驱动电压和优越的散热性能，适合要求高可靠性和高效率的电子产品设计。VISHAY 的这一产品，为电源管理和控制电路提供了强有力的支持，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。