SI2302-TP

产品概述：SI2302-TP N沟道MOSFET

一、基本信息

SI2302-TP是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低电压和中等功率应用设计，具有理想的电气特性和紧凑的封装形式。封装类型为SOT-23，适合表面贴装，广泛应用于各种电子电路和设备中，如 DC-DC 转换器、开关电源、马达驱动等。

二、技术规格

1. 漏源电压（Vdss）：20V SI2302-TP能够承受高达20V的漏源电压，适合在各种供电电压下运行。

2. 连续漏极电流（Id）：3A 在25℃的环境温度下，该产品能够输出最大连续漏极电流为3A，确保了在负载电流变化时仍然能够稳定工作。

3. 导通电阻（Rds(on)：72mΩ @ 3.6A, 4.5V 该MOSFET在3.6A的电流和4.5V的栅极电压下展现出72毫欧的导通电阻，意味着在开关状态时电能损耗非常低，极大提升了效率。

4. 阈值电压（Vgs(th)：1.2V @ 50µA SI2302-TP的栅源极阈值电压为1.2V（在50µA下测量），确保了MOSFET在较低电压下即可开启，优化了电路设计时的驱动电压选择。

5. 最大功率耗散：1.25W (Ta=25°C) SI2302-TP的最大功率耗散能力为1.25W，这使该器件可在较高功率下运行而不至于过热，为散热设计提供了灵活性。

6. 工作温度范围：-55°C ~ 150°C 其工作温度范围广泛，适合高温环境下的应用需求，符合工业及汽车电子产品的标准。

7. 驱动电压（Vgs）：最大 ±8V 它可以接受最大±8V的栅源电压，这使得SI2302-TP在多种驱动电路中使用都非常方便。

8. 栅极电荷（Qg）：10nC @ 4.5V 该器件的栅极电荷为10nC，这使得其在高频应用中表现出色，快速开关操作减少了通道损耗。

9. 输入电容（Ciss）：237pF @ 10V SI2302-TP的输入电容在10V时为237pF，较低的输入电容有助于提升开关速度，降低驱动功耗。

三、应用领域

由于其优良的电气性能，SI2302-TP在以下几个领域内有广泛应用：

• DC-DC转换器：高效能的功率开关能够降低转换损耗。
• 电池管理系统：适用于电池充放电控制，确保稳定的电流输出。
• 马达驱动：可用于直流电机的控制电路，提供稳定的电流支持。
• LED驱动器：适合用于LED电源和调光应用，提高能源利用率。
• 消费电子产品：如手机、平板等便携式设备中用于电源管理。

四、总结

SI2302-TP是一款具有高度集成性和优良性能的N沟道MOSFET，结合了出色的导电特性和紧凑的SOT-23封装，极其适合在现代电子设备中应用。其低导通电阻、高电流承载能力及宽温度范围，使其成为设计师在选择MOSFET时的理想选择。无论是用于功率转换、马达控制还是其他低功耗应用，SI2302-TP都将是一个值得信赖的解决方案。