SI2302-TP
SI2302-TP参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 50uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | 漏源导通电阻 | 72mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 72 毫欧 @ 3.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 237pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2302-TP手册
SI2302-TP概述
产品概述：SI2302-TP N沟道MOSFET
一、基本信息
SI2302-TP是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低电压和中等功率应用设计，具有理想的电气特性和紧凑的封装形式。封装类型为SOT-23，适合表面贴装，广泛应用于各种电子电路和设备中，如 DC-DC 转换器、开关电源、马达驱动等。
二、技术规格
漏源电压（Vdss）：20V SI2302-TP能够承受高达20V的漏源电压，适合在各种供电电压下运行。
连续漏极电流（Id）：3A 在25℃的环境温度下，该产品能够输出最大连续漏极电流为3A，确保了在负载电流变化时仍然能够稳定工作。
导通电阻（Rds(on)：72mΩ @ 3.6A, 4.5V 该MOSFET在3.6A的电流和4.5V的栅极电压下展现出72毫欧的导通电阻，意味着在开关状态时电能损耗非常低，极大提升了效率。
阈值电压（Vgs(th)：1.2V @ 50µA SI2302-TP的栅源极阈值电压为1.2V（在50µA下测量），确保了MOSFET在较低电压下即可开启，优化了电路设计时的驱动电压选择。
最大功率耗散：1.25W (Ta=25°C) SI2302-TP的最大功率耗散能力为1.25W，这使该器件可在较高功率下运行而不至于过热，为散热设计提供了灵活性。
工作温度范围：-55°C ~ 150°C 其工作温度范围广泛，适合高温环境下的应用需求，符合工业及汽车电子产品的标准。
驱动电压（Vgs）：最大 ±8V 它可以接受最大±8V的栅源电压，这使得SI2302-TP在多种驱动电路中使用都非常方便。
栅极电荷（Qg）：10nC @ 4.5V 该器件的栅极电荷为10nC，这使得其在高频应用中表现出色，快速开关操作减少了通道损耗。
输入电容（Ciss）：237pF @ 10V SI2302-TP的输入电容在10V时为237pF，较低的输入电容有助于提升开关速度，降低驱动功耗。
三、应用领域
由于其优良的电气性能，SI2302-TP在以下几个领域内有广泛应用：
- DC-DC转换器：高效能的功率开关能够降低转换损耗。
- 电池管理系统：适用于电池充放电控制，确保稳定的电流输出。
- 马达驱动：可用于直流电机的控制电路，提供稳定的电流支持。
- LED驱动器：适合用于LED电源和调光应用，提高能源利用率。
- 消费电子产品：如手机、平板等便携式设备中用于电源管理。
四、总结
SI2302-TP是一款具有高度集成性和优良性能的N沟道MOSFET，结合了出色的导电特性和紧凑的SOT-23封装，极其适合在现代电子设备中应用。其低导通电阻、高电流承载能力及宽温度范围，使其成为设计师在选择MOSFET时的理想选择。无论是用于功率转换、马达控制还是其他低功耗应用，SI2302-TP都将是一个值得信赖的解决方案。