SI9933CDY-T1-GE3 产品实物图片
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SI9933CDY-T1-GE3

商品编码: BM0000288295
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
8-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.245g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 20V 4A 2个P沟道 SOIC-8
库存 :
15619(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.07
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.07
--
2500+
¥1.01
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI9933CDY-T1-GE3参数

类型2个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)58mΩ@4.5V,4.8A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@10V输入电容(Ciss@Vds)665pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)115pF@10V工作温度-50℃~+150℃

SI9933CDY-T1-GE3手册

SI9933CDY-T1-GE3概述

产品概述:SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3 是一款来自 VISHAY(威世)的双 P 沟道场效应管(MOSFET),它以其优异的电气特性和广泛的应用场合取得了良好的市场表现。这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺,封装形式为 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽),适用于潮湿和高温环境下的主流电子设备。

关键技术参数

  1. 漏源电压(Vdss):SI9933CDY-T1-GE3 的漏源电压为 20V,适应于较低电压的应用场景。这种电压等级使其能够在多种电压环境下正常工作,满足电子电路对电源管理的基本需求。

  2. 栅源极阈值电压(Vgs(th)):1.4V @ 250µA,意味着在电流为 250µA 的情况下,栅源电压达到 1.4V 时 MOSFET 开始导通。这一特性保证了在逻辑电平条件下能够快速有效地驱动。

  3. 连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境条件下,SI9933CDY-T1-GE3 的最大连续漏极电流可达到 4A,这使其在功率放大和负载驱动应用中表现出色。

  4. 漏源导通电阻:在 4.8A 和 4.5V 条件下,导通电阻最大值为 58mΩ,显示出其良好的低导通损耗特性,提高了工作效率并降低了热量产生。

  5. 功率耗散:最大功率耗散为 3.1W,说明在持续工作条件下,该元器件能够有效地处理功率,减少热量对电路性能的影响,并稳定地维持电路的正常运行。

  6. 工作温度范围:产品的工作温度范围为 -50°C 到 150°C,极宽的温度范围确保了其在严酷环境条件下的稳定性,适合用于汽车、工业控制和电源电路等应用领域。

应用领域

SI9933CDY-T1-GE3 的设计使其适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 电源管理:用于 DC-DC 转换器、稳压电源等场合,提升电路的开关效率和整体性能。
  • 驱动电路:适合用于马达驱动、继电器驱动等场景,能够提供高于标准使用条件的驱动能力。
  • 逻辑电平控制:由于其低栅源极阈值电压,特别适合数字电路驱动,良好的开关特性使其在高速控制信号传输中表现出色。
  • 汽车电子:作为一种高效的开关器件,广泛用于汽车电子系统,能够应对极端工作环境。

总结

SI9933CDY-T1-GE3 是一款性能优良的双 P 沟道 MOSFET,设计专为满足高效能和多用途需求而定制。其在漏源电压、连续漏极电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围等方面的卓越性能,使其成为现代电子设计中重要的元器件之一。无论是在电源管理、驱动电路,还是在各类电子控制系统中,SI9933CDY-T1-GE3 都能提供高效、可靠的解决方案,是您设计中不可或缺的关键元件。