类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@4.5V,4.8A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 665pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 115pF@10V | 工作温度 | -50℃~+150℃ |
SI9933CDY-T1-GE3 是一款来自 VISHAY(威世)的双 P 沟道场效应管(MOSFET),它以其优异的电气特性和广泛的应用场合取得了良好的市场表现。这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺,封装形式为 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽),适用于潮湿和高温环境下的主流电子设备。
漏源电压(Vdss):SI9933CDY-T1-GE3 的漏源电压为 20V,适应于较低电压的应用场景。这种电压等级使其能够在多种电压环境下正常工作,满足电子电路对电源管理的基本需求。
栅源极阈值电压(Vgs(th)):1.4V @ 250µA,意味着在电流为 250µA 的情况下,栅源电压达到 1.4V 时 MOSFET 开始导通。这一特性保证了在逻辑电平条件下能够快速有效地驱动。
连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境条件下,SI9933CDY-T1-GE3 的最大连续漏极电流可达到 4A,这使其在功率放大和负载驱动应用中表现出色。
漏源导通电阻:在 4.8A 和 4.5V 条件下,导通电阻最大值为 58mΩ,显示出其良好的低导通损耗特性,提高了工作效率并降低了热量产生。
功率耗散:最大功率耗散为 3.1W,说明在持续工作条件下,该元器件能够有效地处理功率,减少热量对电路性能的影响,并稳定地维持电路的正常运行。
工作温度范围:产品的工作温度范围为 -50°C 到 150°C,极宽的温度范围确保了其在严酷环境条件下的稳定性,适合用于汽车、工业控制和电源电路等应用领域。
SI9933CDY-T1-GE3 的设计使其适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
SI9933CDY-T1-GE3 是一款性能优良的双 P 沟道 MOSFET,设计专为满足高效能和多用途需求而定制。其在漏源电压、连续漏极电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围等方面的卓越性能,使其成为现代电子设计中重要的元器件之一。无论是在电源管理、驱动电路,还是在各类电子控制系统中,SI9933CDY-T1-GE3 都能提供高效、可靠的解决方案,是您设计中不可或缺的关键元件。