类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@10V,5A |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21nC@80V | 输入电容(Ciss@Vds) | 460pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STD10NF10T4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件具备100V的漏源电压(Vdss)和最高可达13A的连续漏极电流(Id)@25°C的工作条件,是广泛应用于电源管理和开关控制领域的理想选择。
STD10NF10T4适用于多种应用场景,包括但不限于:
电源转换: 由于其较为优越的开关性能和导通性,该器件在DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源模块中表现出色。
电机驱动: 可以用于直流电机和步进电机的驱动电路,凭借其高电流处理能力及快速开关性能,实现高效率的电机控制。
开关电路: 在各种开关电路中,能够作为高效率开关元件,减少能量损耗。
消费类产品和工业设备: 其宽工作温度范围和高可靠性使其非常适合在消费电子及工业自动化设备中使用。
STD10NF10T4具备多项性能优势:
STD10NF10T4是一款具备卓越性能和多种应用场景的高功率N沟道MOSFET。产品的高可靠性、优异的散热性能及极低的导通电阻使其成为电源管理、电机驱动和开关电路等领域的理想选择。意法半导体致力于为客户提供高性能半导体解决方案,STD10NF10T4正是其产品线中杰出的代表之一。