集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 150mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.1V@5mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 150mV@5mA,0.5mA |
输入电阻 | 4.7kΩ | 电阻比率 | 10 |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC043ZEBTL 是一款由日本知名品牌 ROHM(罗姆)制造的高性能 NPN 型数字晶体管。该晶体管设计用于各种电子应用,具有优秀的电气特性和可靠性,广泛应用于驱动电路、开关电路和放大电路等领域。凭借其150mW的额定功率、50V的集射极击穿电压(Vce)和100mA的集电极电流(Ic),DTC043ZEBTL 显示出良好的性能和适应性,能够满足多种应用需求。
DTC043ZEBTL 的设计提供了高达 250MHz 的频率跃迁能力,适合高速信号处理和射频应用。此外,该晶体管具有优秀的电流增益 (hFE),即使在较低的集电极电流下,依然保持良好的放大能力。这对于需要高增益的应用,例如传感器接口和小信号放大器,至关重要。
饱和压降(Vce(sat))为150mV,非常适合低功耗设计,特别是在电源管理和开关应用中。在低功率开关电路中,越低的饱和压降能够有效降低功耗和发热,提高电路的整体效率。
由于 DTC043ZEBTL 出色的电气性能,这款数字晶体管广泛应用于多种电子电路,包括但不限于:
DTC043ZEBTL 使用 EMT3F(SOT-416FL)封装,具备表面贴装型设计,易于自动化生产。其小巧的尺寸使其非常适合空间有限的应用场合,如便携式设备、手机及其他消费电子产品。
选择 DTC043ZEBTL 的几个主要理由包括:
DTC043ZEBTL 是一款优质的 NPN 型数字晶体管,凭借其卓越的电气性能、灵活的应用范围和优良的性价比,适用于各类现代电子设备。无论是在开发新的电路还是优化现有设计,该晶体管都能为工程师提供可靠的解决方案,是电子设计中不可或缺的重要组成部分。