类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 80A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V,40A |
功率(Pd) | 300W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 182nC@50V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.5nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 175pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
STP80NF10是一款高性能的N沟道MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)生产,专门用于功率转换和开关电源等应用。这款MOSFET具有最大漏源电压(Vdss)100V、最大连续漏极电流(Id)80A、高达300W的功率耗散能力,以及低漏源导通电阻(Rds(on))15mΩ(在40A和10V驱动条件下),使其成为高效能电源设计的理想选择。
高漏源电压和电流能力: STP80NF10在工作中可以承受高达100V的漏源电压,保证了其在高电压应用中的可靠性。同时,其在25°C环境温度下的最大连续漏极电流为80A,适合大电流负载应用。
低导通电阻: 该器件在40A和10V的条件下,最大导通电阻仅为15mΩ,确保了在大电流工作时的能量损耗极小,进而提高了整体效率并降低了发热。
宽工作温度范围: STP80NF10的工作温度范围为-55°C至175°C,适合在极端温度条件下工作的设备,提高了应用的灵活性和可靠性。
栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压(Vgs(th))为4V(在250µA下测量),可以便于驱动电路设计,这意味着在低电压环境下,MOSFET就能够有效开启。
良好的开关特性: STP80NF10的最大门极电荷(Qg)为182nC(在10V驱动下),有效降低了开关损耗,使其在高频开关应用中表现优异。
封装类型: 该器件采用TO-220封装,便于散热,适合高功率应用,同时其通孔设计便于安装。
STP80NF10广泛应用于以下领域:
STP80NF10是一款性价比高的N沟道MOSFET,凭借其优秀的电气特性,如高电压电流处理能力、低导通电阻和宽工作温度范围,广泛适用于各类功率管理和开关应用。其可靠性和高效能使其成为现代电子产品设计中的重要器件,在推动电子产品向高效、环保方向发展的过程中发挥了至关重要的作用。