封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 650V | 安装类型 | 通孔(THT) |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 110 毫欧 @ 22.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 134nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3800pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 417W(Tc) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
STW45NM60 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其封装形式为 TO-247-3。该器件专为高电压和高电流应用设计,具备650V的漏源极(Vdss)和高达45A的连续漏极电流(Id),在电源管理、开关电源、逆变器以及电机驱动等多种应用中表现出色。
高电压和电流能力
低导通阻抗
高功率耗散能力
宽工作温度范围
优良的动态特性
单片设计与散热能力
STW45NM60 MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:
STW45NM60 在多个方面表现出了竞争优势:
STW45NM60 MOSFET 是一款高效、稳定的电子元器件,适合于要求高电压、高电流及高效率的场合。由于其优良的热性能和动态特性,该MOSFET在电源管理、逆变器和电机驱动等众多领域中都具备广泛的应用潜力。作为意法半导体的代表产品,STW45NM60 不仅满足当今市场的技术需求,还在将来的发展中为高性能电力电子系统提供了强有力的支持。