类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 45A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@22.5A,10V |
功率(Pd) | 417W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 134nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.8nF@25V |
STW45NM60 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其封装形式为 TO-247-3。该器件专为高电压和高电流应用设计,具备650V的漏源极(Vdss)和高达45A的连续漏极电流(Id),在电源管理、开关电源、逆变器以及电机驱动等多种应用中表现出色。
高电压和电流能力
低导通阻抗
高功率耗散能力
宽工作温度范围
优良的动态特性
单片设计与散热能力
STW45NM60 MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:
STW45NM60 在多个方面表现出了竞争优势:
STW45NM60 MOSFET 是一款高效、稳定的电子元器件,适合于要求高电压、高电流及高效率的场合。由于其优良的热性能和动态特性,该MOSFET在电源管理、逆变器和电机驱动等众多领域中都具备广泛的应用潜力。作为意法半导体的代表产品,STW45NM60 不仅满足当今市场的技术需求,还在将来的发展中为高性能电力电子系统提供了强有力的支持。