类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 8.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.46W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.7nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 798pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 122pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN4800LSS-13 是一款高效的 N 通道增强型 MOSFET,由 DIODES(美台)公司生产,适合在多种电子应用中使用。该器件主要用于开关电源、负载驱动、直流电机控制和其他需要高效率和快速开关的电路中,其出色的电流承载能力和低导通电阻使其成为现代电子设计中的理想选择。
DMN4800LSS-13 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,意味着即使在极端环境条件下也能保持稳定的性能。广泛的工作温度范围使其适合用于航空航天、汽车及工业设备等对温度要求严格的应用环境。
综合以上特点,DMN4800LSS-13 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET,具有优良的电气特性和耐用性,适用于各种高效能的电子设计,帮助工程师和设计师实现更高效、更可靠的电子解决方案。通过合理的电路设计与该器件的结合,能够为客户提供极佳的性能表现与稳定性,是现代电子应用中不可多得的选择。