SISS27DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK-1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.062g
描述 :
表面贴装型-P-通道-30V-50A（Tc）-4.8W（Ta）-57W（Tc）-PowerPAK®-1212-8S（3.3x3.3）
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
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圆盘(1圆盘有3000个)
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香港
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1500+
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产品参数
产品手册
产品概述
SISS27DN-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.6 毫欧 @ 15A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5250pF @ 15V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 140nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 4.8W（Ta），57W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
SISS27DN-T1-GE3手册
SISS27DN-T1-GE3概述
SISS27DN-T1-GE3 产品概述
产品简介
SISS27DN-T1-GE3 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的高性能 P 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计用途广泛，适合用于各种功率管理和开关应用。这款 MOSFET 的封装类型为 PowerPAK-1212-8，具有出色的热性能和电气特性，适合表面贴装（SMD）应用。
重要参数
SISS27DN-T1-GE3 的主要技术参数包括：
- 导通电阻 Rds(on): 在 15A 和 10V 的条件下最大导通电阻为 5.6 毫欧。这一特性使得该 MOSFET 在大多数开放式和快速开关应用中表现优异，减少了功耗和热量产生。
- 漏极电流 (Id): 在 25°C 时，可以支持高达 50A 的连续漏极电流（Tc），使其适合承受较高负载的应用场景。
- 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 30V，适合用于低中电压的电源管理和开关电路。
- 栅极源电压 (Vgs): 最大为 ±20V，确保在多种驱动条件下的稳定性。
- 驱动电压: 推荐的驱动电压为 4.5V 到 10V，既可以进行高效驱动，又能减少在驱动过程中的功耗。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 4.8W（环境温度 Ta）和 57W（结温 Tc），显示出良好的热管理能力。
电气特性
- 输入电容 (Ciss): 在 15V 时的最大输入电容为 5250pF，这一特性意味着其开关速度快，能够有效减少开关时延，提高系统的工作效率。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的驱动下，最大栅极电荷为 140nC，表明器件能在较低的驱动功耗下实现快速开关，为高频开关应用提供了良好的支持。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 时的最大值为 2.2V，确保该器件能够在适当的电压下迅速导通。
应用领域
由于其优越的电气性能，SISS27DN-T1-GE3 可广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在各种电源开关电路中，如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器等，能够有效地控制电流流向。
- 电动汽车: 该 MOSFET 的高效率和承载能力使它在电池管理系统和电动驱动系统中成为理想选择。
- 家电产品: 採用于高效电源控制的各类家电，如空调、冰箱等。
- 工业控制: 适配于工业自动化中的电动机驱动、开关电源等设备，提供可靠的电流管理。
工作温度范围
SISS27DN-T1-GE3 的工作温度范围从 -50°C 到 150°C，证明其适用于恶劣环境下的工作场景。这一特性使其能够在高温和低温环境中维持稳定性能，从而在各种工业和商业应用中表现出长久的可靠性。
总结
SISS27DN-T1-GE3 是一款高可靠性的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的导通电阻、出色的热管理性能和宽广的应用范围，适用于多种现代电子设备和系统。无论是在任何需要高效电源管理和快速开关的应用中，该产品都能提供优越的表现，是设计师和工程师的理想选择。