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属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 1.42W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 478.9pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
DMG4822SSD-13 是一款高性能双 N 沟道场效应管(MOSFET),由知名品牌 DIODES(美台)生产。作为一种重要的电力电子元器件,DMG4822SSD-13 在各种高频率和高效率的开关电源、电机驱动和负载开关应用中被广泛使用。
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 10A (25°C)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250μA
漏源导通电阻(Rds(on)): 20mΩ @ 8.5A, 10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.42W
工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
封装类型: SO-8
DMG4822SSD-13 广泛应用于:
由于其低导通电阻和宽广的工作温度范围,DMG4822SSD-13 是许多电力电子应用中理想的选项。
DMG4822SSD-13 代表了现代电力电子器件中卓越的性能和可靠性,适用于各种高要求的应用场景。其优越的电气性能加上适应广泛的工作环境,强化了该元件在市场上的竞争力,成为设计师与工程师选择场效应管(MOSFET)的理想选择之一。对于希望提升系统效率和可靠性的设计工作,DMG4822SSD-13 无疑是一个值得考虑的优良方案。