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IRLML2246TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRLML2246TRPBF

商品编码: BM69415332
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23(Micro3)
包装 : 
编带
重量 : 
0.004g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 2.6A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
30(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.632
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.632
--
200+
¥0.435
--
1500+
¥0.396
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLML2246TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)135 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 10µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)2.9nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±12V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)220pF @ 16V
功率耗散(最大值)1.3W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装Micro3™/SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

IRLML2246TRPBF手册

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IRLML2246TRPBF概述

IRLML2246TRPBF 产品概述

产品简介

IRLML2246TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其出色的性能和广泛的应用场景使其在电子工程领域内备受青睐。该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于各种低电压和中等功率开关应用。这款器件封装为 SOT-23(Micro3),便于在紧凑的电子设备中实现表面贴装。

主要参数

IRLML2246TRPBF 的关键参数包括:

  • 漏源电压 (Vdss): 该器件在 20V 的额定压下工作,适用于较低电压的应用场景。
  • 连续漏极电流 (Id): 其最大连续电流为 2.6A,助力各种电源管理和电机驱动应用。
  • 驱动电压 (Vgs): 器件的 Rds On 在 2.5V 至 4.5V 的驱动电压下表现出良好的导通性能,适合逻辑电平信号驱动。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 2.6A 和 4.5V 时,其最大导通电阻为 135 毫欧,显示出了优良的导通能力,有助于降低功耗。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在10µA的测试条件下,Vgs(th) 最大值为 1.1V,便于驱动电路的设计。
  • 工作温度范围: IRLML2246TRPBF 具备 -55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围,适合在严苛环境下工作。
  • 功率耗散能力: 最大功率耗散为 1.3W,确保在连续使用中具备良好的散热性能。

典型应用

IRLML2246TRPBF 被广泛应用于多种电子电路中,主要包括:

  1. 电源管理: 在开关电源中,本器件能够作为主开关元件、高效转换电源和负载的控制开关。
  2. 电机驱动: 对于小型电机或步进电机驱动应用,IRLML2246TRPBF 可以通过其高电流能力来驱动。
  3. 负载开关: 该 MOSFET 适用于各种负载开关应用,对于控制电源的启停非常有效。
  4. LED 驱动: 在 LED 驱动电路中,IRLML2246TRPBF 的较低导通电阻能够确保较低的功耗和发热量。
  5. 便携式设备: 由于其小巧的 SOT-23 封装,此 MOSFET 非常适合手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。

封装与安装

该 MOSFET 采用 SOT-23 封装(TO-236-3,SC-59),属于表面贴装型(SMD),在电路板上占用空间小,适合高度集成的设计。其 Micro3 封装结构使得散热性能得以增强,有助于提高器件的可靠性和耐用性。

总结

IRLML2246TRPBF 功能强大,适应范围广,是一款高性能的 P 型沟道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流和耐高温的特性,使其在电源管理和自动化控制等应用领域展示出优越的适用性。无论是用于日常消费电子产品,还是其他复杂的工业控制系统,均能发挥其高效的电气性能。选择 IRLML2246TRPBF,您将获得可靠的电气解决方案,为您的设计项目增添优势。