类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 135mΩ@4.5V,2.6A |
功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@10uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 220pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 48pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
IRLML2246TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其出色的性能和广泛的应用场景使其在电子工程领域内备受青睐。该 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于各种低电压和中等功率开关应用。这款器件封装为 SOT-23(Micro3),便于在紧凑的电子设备中实现表面贴装。
主要参数
IRLML2246TRPBF 的关键参数包括:
典型应用
IRLML2246TRPBF 被广泛应用于多种电子电路中,主要包括:
封装与安装
该 MOSFET 采用 SOT-23 封装(TO-236-3,SC-59),属于表面贴装型(SMD),在电路板上占用空间小,适合高度集成的设计。其 Micro3 封装结构使得散热性能得以增强,有助于提高器件的可靠性和耐用性。
总结
IRLML2246TRPBF 功能强大,适应范围广,是一款高性能的 P 型沟道 MOSFET,结合了低导通电阻、高电流和耐高温的特性,使其在电源管理和自动化控制等应用领域展示出优越的适用性。无论是用于日常消费电子产品,还是其他复杂的工业控制系统,均能发挥其高效的电气性能。选择 IRLML2246TRPBF,您将获得可靠的电气解决方案,为您的设计项目增添优势。