STP6N90K5
STP6N90K5参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 900V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@3A,10V |
| 功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 342pF@100V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 1.2pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STP6N90K5手册
STP6N90K5概述
产品概述：STP6N90K5 N通道 MOSFET
一、产品简介
STP6N90K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压 N 通道 MOSFET，具有优异的电气性能和广泛的应用场景。该器件以其900V的漏源电压（Vdss）、6A的最大连续漏极电流（Id）和1.1欧姆的低导通电阻（Rds(on)）而闻名。作为一款高功率电子元器件，STP6N90K5 适合于高频开关电源、照明控制、motor驱动，及其他需要高电压和高效能的应用场合。
二、主要参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 900V
- 最大连续漏极电流（Id）: 6A @ 25°C（适用情况，最大值取决于散热条件）
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大 1.1Ω @ 3A，10V
- 门源阈值电压（Vgs(th)）: 最大 5V @ 100μA
- 最大门电压（Vgs）: ±30V
- 功率耗散（Pd）: 最大 110W（取决于散热条件）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: TO-220
- 安装类型: 通孔
三、电气特性
STP6N90K5 的高漏源电压使其能在高压电路中有效工作，其最大额定电流（6A）和功率耗散能力（110W）确保其在需要大功率驱动的场合能稳定运行。此外，在较低的导通电阻（1.1Ω）下，该MOSFET能够降低热损耗，提高电路效率。其门电压最大值为±30V，这赋予了它良好的驱动灵活性和设计适应性。
四、应用场景
开关电源（SMPS）: 在高压和高频应用中，如工控电源、逆变器、太阳能逆变器等方面，STP6N90K5 可有效增强电路的效率与稳定性。
电动机控制: 在电动机驱动和控制的应用中，STP6N90K5 可以实现高效的电力转换，确保电动机在不同转速下的高效工作。
照明解决方案: 在LED驱动及其他照明应用中，其高功率能力和稳定性使其成为理想的选择，尤其是用于极低驱动电压或高电压应用时。
UPS系统: 在不间断电源系统中，凭借其高阻抗和功率耗散能力，能够有效调整和控制能量供应。
五、优越性分析
STP6N90K5 相比于其他类似产品，具有一系列显著的优势：
- 高工作温度和耐久性: 能适应极端温度，提供更广泛的应用范围。
- 优秀的导通性能: 较低的导通电阻意味着更小的能量损失，提高了整体系统性能。
- 良好的散热管理: TO-220封装设计优化了散热效果，降低了过热风险。
六、结论
STP6N90K5 N 通道 MOSFET 通过其卓越的技术参数和多种适用领域，成为当前电力电子市场中的一个重要组件。无论是在高压开关电源、驱动控制电路还是其他高功率应用中，STP6N90K5 的可靠性和效率都促成了其在现代电子行业中的广泛使用。其性能的优越性使得设计师能够在确保系统稳定和可靠的同时，为创新的电气设计提供更多的可能性。