IPA60R180P7S
IPA60R180P7S参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,5.6A |
| 功率(Pd) | 26W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@0.28mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.081nF@400V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 381pF@400V | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
IPA60R180P7S手册
IPA60R180P7S概述
IPA60R180P7S 产品概述
一、基本信息
产品名称: 场效应管 (MOSFET) IPA60R180P7S
品牌: 英飞凌 (Infineon)
封装类型: PG-TO220-3
二、产品背景
场效应管（MOSFET）是一种重要的半导体器件，广泛应用于电力电子和开关电源中。英飞凌作为全球领先的半导体制造商，其MOSFET产品线涵盖了各种高效能和高可靠性的解决方案。IPA60R180P7S是其系列中一款高性能的N沟道MOSFET，旨在满足现代电子设备对于效率和散热性能的严格要求。
三、技术规格
IPA60R180P7S的主要电气参数包括：
- 最大漏极源极电压 (Vds): 600V
- 最大连续漏极电流 (Id): 18A
- RDS(on): 0.18 Ω（有效降低开关损耗）
- 门极驱动电压 (Vgs): 10V（确保器件在高频率开关下稳定运行）
四、特性与优势
高耐压与大电流能力: IPA60R180P7S具备600V的漏极源极最大电压，能够满足大部分高压和高功率应用的需求。同时，18A的连续漏极电流能力也使得其适合于高功率负载的驱动。
低导通电阻: 该MOSFET的RDS(on)为0.18 Ω，意味着在导通状态时损失较小，从而提高了整体系统的效率。这一特性对于提高开关电源及电源管理模块的性能尤为重要。
卓越的开关性能: IPA60R180P7S具有较快的开关速度和良好的温度稳定性，适合用于高频开关应用。这种特性不仅能够优化电源转换效率，还能减少热量的产生，从而提升系统的可靠性。
优越的散热设计: 采用PG-TO220-3封装，该封装形式提供了优秀的散热能力，确保MOSFET在工作过程中不会过热，有助于延长器件的使用寿命。
广泛的适用性: IPA60R180P7S可以用于多种应用，包括DC-DC转换器、逆变器、工业电源、太阳能逆变器等，是现代电子设备中不可或缺的组成部分。
五、应用场景
IPA60R180P7S适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 在电源管理系统中提供高效率的电能转换。
- 电动机驱动: 用于控制电动机的启停及调速，能够在高频切换中维持性能稳定。
- 电力电子设备: 应用于各种工业电源、UPS（不间断电源系统）和风能/太阳能发电系统中，以提高能量转化的可靠性和效率。
六、总结
IPA60R180P7S是英飞凌公司的一款高性能N沟道MOSFET，凭借其出色的电气性能、优良的散热能力及广泛的应用潜力，成为电子设计工程师非常推荐的选择。无论是在电力转换、开关电源还是电动机控制等多个领域，IPA60R180P7S都能为用户提供可靠的高效方案。其高耐压、大电流及低导通电阻的设计，使其在现代高效能电子产品中发挥着重要的作用。