类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 6.7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,8.9A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@350uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 52nC@4.5V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SI4931DY-T1-GE3 是 VISHAY(威世)公司制造的一款高性能 P 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于低功耗的开关电源、电机驱动和负载开关等电路设计。该 MOSFET 具有出色的电气性能,适用于各种电子设备和工业应用。
电流和电压参数:
导通电阻:
栅极电压及电荷:
功率额定值:
温度范围:
该 MOSFET 使用 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)的封装形式,采用表面贴装型设计,适合现代电路板的高密度安装需求。其紧凑的尺寸和优秀的热管理性能,能够更好地适应小型化和高集成度的电子产品。
由于其优秀的电气特性和可靠性,SI4931DY-T1-GE3 被广泛应用于多个领域,包括:
SI4931DY-T1-GE3 作为一款高效、高性能的 P 沟道 MOSFET,是设计工程师在构建省电和高效电子电路时的重要选择。其优异的电气特性、广泛的应用范围及可靠的工作温度,让这款产品在当前瞬息万变的电子市场中具有极大的竞争力。选择 SI4931DY-T1-GE3,将为您的产品设计增添强劲的动力和可靠的性能保障。