类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 17A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 45W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 370pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 65pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFZ24NPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用而设计。它采用 TO-220AB 封装形式,使其在散热能力和机械强度上表现优异,适合在各种工业及消费类电子设备中使用。这款 MOSFET 的设计提供了较低的导通电阻(Rds(on)),高漏源电压能力以及宽工作温度范围,满足多种应用需求。
高电压和高电流能力: IRFZ24NPBF 的 55V 漏源电压和 17A 的连续电流能力使其适用于各种高压应用,包括逆变器、电动机驱动和电源转换器等场合。
低导通电阻: 70 毫欧的导通电阻为电路设计提供了低功耗和高效率。这意味着在操作过程中电流通过时产生的热量减少,有助于电路保持较低的工作温度。
良好的开关特性: 该器件的栅极电荷(Qg)为 20nC,确保了较快速的开关操作能力。这对于需要高频率开关的应用尤为重要,例如开关电源及高频逆变器。
宽工作温度范围: IRFZ24NPBF 的广泛温度工作范围 (-55°C 至 175°C) 使其能够在极端环境下可靠运行,特别适用于航空航天、汽车及工业控制等要求严格的应用场合。
TO-220AB 封装: TO-220 封装提供了良好的热管理性能,使得在高功率应用中可以有效散热,延长器件寿命,同时其通孔设计便于在各种电路板上安装。
由于其出色的性能参数与灵活的应用特性,IRFZ24NPBF 广泛应用于以下领域:
总的来说,IRFZ24NPBF 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET,适合各种高电压、高电流及高频率的应用需求。其可靠性、效率及灵活性使其在电子行业中占据一个重要的地位,尤其是在电源管理和电动机驱动等领域,为设计师和工程师提供了一个强大的工具来实现先进的电源控制解决方案。