MMBFJ177LT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
结型场效应管(JFET) 225mW 800mV@10nA 30V P沟道 SOT-23
库存 :
121931(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.598按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.598
--
200+
￥0.412
--
1500+
￥0.375
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
MMBFJ177LT1G参数
| FET 类型 | P 通道 | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 1.5mA @ 15V | 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 800mV @ 10nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11pF @ 10V（VGS） | 电阻 - RDS(On) | 300 Ohms |
| 功率 - 最大值 | 225mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBFJ177LT1G手册
MMBFJ177LT1G概述
MMBFJ177LT1G 产品概述
产品简介
MMBFJ177LT1G是一款高性能的P沟道结型场效应管（JFET），由知名半导体制造商ON Semiconductor（安森美）推出。该器件采用SOT-23-3（TO-236）封装，适合表面贴装技术，广泛应用于各类电子设备与系统中。凭借其优异的电气特性和可靠的工作温度范围，MMBFJ177LT1G成为众多电子设计工程师的首选元件之一。
基本参数
- FET类型: P通道
- 最大击穿电压 (V(BR)GSS): 30V
- 漏极电流 (Idss): 1.5mA @ 15V
- 截止电压 (VGS off): 800mV @ 10nA
- 输入电容 (Ciss): 最大11pF @ 10V（VGS）
- 导通电阻 (RDS(On)): 300 Ohms
- 最大功率: 225mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
性能特点
MMBFJ177LT1G的设计使其在多个应用场景中具备卓越的性能。其P沟道特性使得该器件可以在负载驱动、信号放大和开关应用中表现优异。较低的漏极电流和导通电阻使得其在低功耗电路中特别受欢迎。最高225mW的功率处理能力以及-55°C至150°C的广泛工作温度范围，使得MMBFJ177LT1G能够在严苛的环境条件下稳定工作。
应用领域
MMBFJ177LT1G在多个领域中得到了广泛的应用，包括但不限于：
- 消费电子: 电视、音响设备及其他家庭电器
- 工业设备: 传感器、控制器和自动化系统
- 汽车电子: 动力管理系统、车载信息娱乐系统和安全系统
- 通信设备: 信号放大、开关和滤波器
- 医疗设备: 传感器接口和信号处理电路
设计优势
- 简单易用: SOT-23封装的紧凑设计使得其在多层电路板设计中易于布局，同时也减少了空间的占用。
- 高可靠性: 通过严格的温度和电气特性测试，MMBFJ177LT1G确保在长期使用中维持高稳定性和高可靠性，降低了因器件故障造成的系统风险。
- 优异的线性特性: 该JFET提供出色的增益特性和线性响应，适合高精度信号处理应用。
- 低功耗设计: 在低电压和低电流条件下，减少了能量损耗，适合于绿色能源和便携设备的设计需求。
结论
MMBFJ177LT1G是一款具有高性能和高可靠性的P沟道结型场效应管。随着现代电子产品日益向小型化和低功耗设计发展，其在多个行业的广泛应用表明了该器件的重要性。无论是在消费电子还是工业应用中，MMBFJ177LT1G凭借其优越的电气特性和强大的适应性，都是设计师在选择FET器件时的理想选择。对需要具备良好线性特性和稳定性能的高科技项目而言，MMBFJ177LT1G几乎是不可或缺的。