FET类型 | P沟道 | 栅源截止电压(VGS(off)@ID) | 800mV@10nA |
栅源击穿电压(V(BR)GSS) | 30V | 功率(Pd) | 225mW |
漏源导通电阻(RDS(on)) | 300Ω | 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0) | 1.5mA@15V |
输入电容(Ciss@Vds) | 11pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
MMBFJ177LT1G是一款高性能的P沟道结型场效应管(JFET),由知名半导体制造商ON Semiconductor(安森美)推出。该器件采用SOT-23-3(TO-236)封装,适合表面贴装技术,广泛应用于各类电子设备与系统中。凭借其优异的电气特性和可靠的工作温度范围,MMBFJ177LT1G成为众多电子设计工程师的首选元件之一。
MMBFJ177LT1G的设计使其在多个应用场景中具备卓越的性能。其P沟道特性使得该器件可以在负载驱动、信号放大和开关应用中表现优异。较低的漏极电流和导通电阻使得其在低功耗电路中特别受欢迎。最高225mW的功率处理能力以及-55°C至150°C的广泛工作温度范围,使得MMBFJ177LT1G能够在严苛的环境条件下稳定工作。
MMBFJ177LT1G在多个领域中得到了广泛的应用,包括但不限于:
MMBFJ177LT1G是一款具有高性能和高可靠性的P沟道结型场效应管。随着现代电子产品日益向小型化和低功耗设计发展,其在多个行业的广泛应用表明了该器件的重要性。无论是在消费电子还是工业应用中,MMBFJ177LT1G凭借其优越的电气特性和强大的适应性,都是设计师在选择FET器件时的理想选择。对需要具备良好线性特性和稳定性能的高科技项目而言,MMBFJ177LT1G几乎是不可或缺的。