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AON6268 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON6268

商品编码: BM69419570
品牌 : 
AOS
封装 : 
8-DFN(5x6)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 56W 60V 44A 1个N沟道 DFN-8(5x6)
库存 :
1084(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.36
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.36
--
100+
¥2.8
--
750+
¥2.59
--
1500+
¥2.46
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON6268参数

功率(Pd)22W反向传输电容(Crss@Vds)65pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.3mΩ@4.5V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)44nC@10V
漏源电压(Vdss)60V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)2.52nF@30V连续漏极电流(Id)44A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.3V@250uA

AON6268手册

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AON6268概述

AON6268 产品概述

1. 基本信息

AON6268 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),其主要特性包括额定功率 56W、耐压 60V 和最大漏电流 44A。该元件采用 DFN-8 (5x6mm) 封装,具有优良的热性能和空间利用率,适合高密度电路板设计。AON6268 来自优质半导体制造商 AOS,旨在为许多应用提供高效的电源管理解决方案。

2. 设计优势

AON6268 的 N 沟道设计使其在开关速度和导通电阻方面具有显著优势。这种结构使得 FET 在导通状态下电流的流动更加高效,导致更低的能量损失和热量产生。尤其在快速开关应用中,N 沟道 MOSFET 通常表现出更好的性能。

  • 导通电阻 (Rds(on)):低导通电阻意味着在导通状态下电流传导损耗更小。此外,较低的导通电阻可保持 MOSFET 的发热量在可控制范畴内,提高了整体系统的效率。

  • 高温性能:AON6268 的设计考虑了高温下的性能稳定性,使其在苛刻环境下仍能保持良好性能。

3. 应用领域

AON6268 的设计使其适用于各种电源管理和驱动应用。以下是一些最典型的应用场景:

  • 开关电源 (SMPS):由于其适合高频率操作和低能量损失,AON6268 常用于开关电源设计,包括 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。

  • 电池管理系统 (BMS):在电池充电和放电过程中,MOSFET 起着关键作用,其高效率能够最大限度地提高电池的使用寿命和性能。

  • 电机驱动:在电机驱动应用中,AON6268 可用作驱动电路中的开关组件,帮助提高电机的启动、停止和调速性能。

  • LED 驱动器:AON6268 也常用于 LED 驱动器中,以精确控制 LED 的亮度和电流。

4. 性能特性

AON6268 的重要性能参数如下:

  • 额定电流:44A,适用于高电流负载。
  • 耐压:60V,适合多种中等电压应用。
  • 封装:DFN-8 (5x6mm),有助于实现较小尺寸的电路设计。
  • 开关频率:高开关频率能力,使其在高效电源转换中表现优异。

5. 总结

AON6268 是一款高效的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性、低导通电阻和良好的热性能,成为电源管理、电机驱动和LED 驱动等领域的理想选择。其紧凑的 DFN 封装设计不仅能够节省电路板空间,还可提升散热性能, 是现代电子设计中不可或缺的重要元件。

通过不断优化和发展,AOS 的 AON6268 提供了可靠、经济和高效的解决方案,满足了市场对更高性能电子元器件的需求。不论是在商用还是工业应用中,AON6268 都是一个理想的选择。