类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 9.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 31mΩ@10V,9.1A |
功率(Pd) | 5.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.5nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 670pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@30V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SUD23N06-31-GE3 是一种高性能 的 N 通道 MOSFET,由 VISHAY(威世)制造,具有优秀的电气特性和广泛的应用前景。该器件适合用于高效的开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动和其他一些要求高电流承载能力的电路设计。
该 MOSFET 采用 TO-252 封装(D-Pak),同时具备良好的散热能力和占板面积小的特点,非常适合表面贴装技术(SMT)。封装设计为 TO-252-3,含2引线和接片(SC-63),确保良好的电气连接性能以及适用性。
SUD23N06-31-GE3 由于其出色的电气性能,广泛应用于以下领域:
SUD23N06-31-GE3 MOSFET 是一款性能优越的 N 通道场效应管,凭借其低导通电阻、高温工作能力和优良的开关特性,为多种电子应用提供了理想的解决方案。无论是用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动还是 LED 驱动,均能有效提升系统性能。VISHAY 品牌的可靠性及产品的高性价比,更进一步使得 SUD23N06-31-GE3 成为设计工程师的首选之一。