类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 42A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 63mΩ@10V,21A |
功率(Pd) | 250W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 98nC@520V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.2nF@100V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
基本介绍
STWA57N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能N沟道MOSFET,广泛应用于高压电源转换、逆变器、开关电源及其他电力电子设备。该器件具有650V的漏源电压、42A的连续漏极电流、250W的功率耗散能力,能够满足高效能和高可靠性的设计需求。
技术参数
应用场合
STWA57N65M5广泛应用于需要高开关频率和高效能的电源设备。常见的应用场景包括:
开关电源: 由于其高压和高电流能力,STWA57N65M5能够有效地处理电源转换过程中的电流和电压,降低能耗,提升效率。
逆变器: 在光伏、风能等可再生能源系统中,作为逆变器的关键元件,该MOSFET可实现直流到交流的高效转换。
电动汽车与混合动力汽车: 在电动汽车的动力管理系统中,STWA57N65M5可用于电源控制和驱动电机,提供所需的高效能和可靠性。
工业电源设备: 适用于各种工业电源的电源转换单元中,能够支持高负载下的可靠运行。
优点与特性
高效率: 低导通电阻和较高的工作电压,使得该MOSFET在切换状态时能极大降低能量损耗。
耐高温性: 该器件能在高达150°C的环境下稳定工作,适合严苛的工业应用环境。
易于驱动: 具备10V的驱动电压,且栅极电荷小,方便实现快速开关操作,降低控制电路的复杂性。
强大的集成功能: 支持高达250W的功率耗散,使其非常适合用于需要密集功率处理的小型设计中。
总结
STWA57N65M5是一款具备高性能、高效率的N沟道MOSFET器件,适用于广泛的电力电子应用。其高额的额定电压和电流、低导通电阻以及优秀的热管理能力,使其成为设计师在开发先进电源解决方案时的理想选择。无论是在可再生能源设备、电动汽车还是工业控制系统中,STWA57N65M5都展现出其强大的适应性与高效能,为用户提供了可靠的性能保障。