BSP373NH6327XTSA1 产品实物图片
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BSP373NH6327XTSA1

商品编码: BM0000080996
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-223
包装 : 
编带
重量 : 
0.194g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.8W 100V 1.8A 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
3117(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.57
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.57
--
1000+
¥1.45
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSP373NH6327XTSA1参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)240mΩ@10V,1.8A
功率(Pd)1.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@218uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.3nC@10V输入电容(Ciss@Vds)265pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)21pF@25V工作温度-55℃~+150℃

BSP373NH6327XTSA1手册

BSP373NH6327XTSA1概述

产品概述:BSP373NH6327XTSA1 - N通道MOSFET

基本信息:

BSP373NH6327XTSA1是一款由英飞凌(Infineon)生产的N通道金属氧化物场效应管(MOSFET),采用SOT-223表面贴装封装。该器件设计用于高效的电源控制和开关应用,具有优异的导通性能和灵活的工作范围,使其在多种电子设计中都能得到广泛应用。

主要参数:

  1. 漏源电压(Vdss):该MOSFET能够承受最高100V的漏源电压,这使其适用于中高压应用,如电源转换器和DC-DC转换器等。

  2. 连续漏极电流(Id):在25°C的环境温度下,本器件可以提供高达1.8A的连续漏极电流,适合承受相对较大的负载电流。

  3. 驱动电压与导通电阻(Rds(on)):在10V的栅极驱动电压下,其最大导通电阻为240毫欧,在1.8A电流下表现出良好的电压降,这意味着在高负载情况下,可以降低功率损耗,从而提高效率。

  4. 门极阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为4V,意味着在低于此电压时,MOSFET将处于关闭状态,而当电压超过此阈值时,则开始导通。这一特点对于需要精确控制开关的应用尤为重要。

  5. 门极电荷(Qg):在10V的栅极电压下,栅极电荷为最大9.3nC,这一点对于驱动电路的设计尤为关键,因为它直接影响到开关速度以及栅极驱动电流。

  6. 输入电容(Ciss):该器件在25V的条件下,最大输入电容为265pF,这也是决定开关速度的重要因素,较小的电容可以加快MOSFET的开关响应。

  7. 功率耗散:最大功率耗散限制为1.8W,适合在低功率环境下运行。

  8. 工作温度范围:该器件能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作,适合用于严苛环境下的应用。

  9. 封装类型:BSP373NH6327XTSA1采用SOT-223封装,尺寸小且适合自动化贴片生产,方便在紧凑型电路板中使用。

应用领域:

由于其各种优越性能,BSP373NH6327XTSA1 MOSFET适用于多个领域和应用,包括但不限于:

  • 电源管理:用于DC-DC转换器,电池充电器和高效电源供应系统。
  • 开关电路:可以作为高效的电子开关,控制灯具、马达和其他负载。
  • 信号放大器:可在射频和音频电路中用于信号放大和调制。
  • 消费者电子:适用于电视、电脑及其它家用电器中的功率调节和开关控制电路。
  • 汽车电子:符合严格的汽车标准,可用于电动汽车、EV充电系统以及各类汽车控制单位。

总结:

BSP373NH6327XTSA1是一个在众多电子应用中具有广泛适用性的N通道MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻和宽工作温度范围,能够为设计工程师提供可靠的解决方案。其小型化的SOT-223封装也使其在需要小型化和轻量化的现代电子设备中变得尤为重要。选择BSP373NH6327XTSA1将是一个明智的决策,无论是在严苛的工业环境还是在多变的消费电子市场中。