晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 20.8W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@50mA,10V | 集电极截止电流(Icbo) | 100uA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@100mA,10mA |
MJE350 是一种功率型 PNP 晶体管,属于意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能电子元器件之一。其设计旨在满足高可靠性和高功率要求的应用场景,广泛应用于电源转换、电机驱动和线性驱动等领域。
MJE350 的主要电气参数如下:
MJE350 的设计使其特别适合用于以下应用场景:
MJE350 提供了一系列优势,使其在众多应用中脱颖而出:
MJE350 采用 SOT-32-3 封装,这种封装提供了良好的散热性能和小尺寸特性,适合需节省空间的设计。通孔安装的设计方便与传统电路板的兼容,方便工程师进行布局设计。
总的来说,MJE350 是一款性能优越的 PNP 晶体管,凭借其高电流和电压特性、良好的线性增益和高功率处理能力,广泛适用于各种电子电路设计。无论是在电源管理还是信号放大方面,MJE350 都能满足现代电子设备对高效和可靠性能的需求。选择 MJE350 作为您的设计元件,将为您的产品增添更多的竞争力和稳定性。