晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,2V | 特征频率(fT) | 145MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA |
BCP51-16,115是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),由著名电子元器件制造商Nexperia(安世)出品。该晶体管专为各种中低功率应用设计,具有良好的电气性能和热稳定性
BCP51-16,115的额定功率为1W,能够承受较高的集电极电流,其最大值为1A。该器件的集射极击穿电压(Vce)最大值为45V,使其能够应用于多种标准电压范围的电路设计中。此外,BCP51-16,115的输入截止电流非常低,ICBO最大值仅为100nA,这使得该元件在关闭状态时的功耗几乎可以忽略不计。
BCP51-16,115在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下 operat,提供了理想的Vce饱和压降,最大为500mV(在50mA和500mA下)。这种小的饱和压降意味着该晶体管在导通时会有较低的能量损失,从而提高整体效率。进一步地,在2V的工作条件下,该晶体管的DC电流增益(hFE)最低可达100(在150mA条件下),这使得该器件在需要信号放大的应用中表现出色。
BCP51-16,115在145MHz的跃迁频率范围内工作,适合于各种高频应用。这使得它在射频(RF)放大器和其他高速开关电路中具有广泛的应用潜力。该芯片的工作温度高达150°C(TJ),保证其在严苛环境下的稳定性,使其在汽车、工业设备和通信设备等领域同样具备应用可能。
BCP51-16,115采用了SOT-223封装,这是一种表面贴装型(SMD)封装,具有较小的占用空间,适合于现代轻量化和小型化的电路设计。这种封装形式还帮助提高了生产效率,能够与自动化生产线无缝集成。
BCP51-16,115的设计使其在众多应用场合中都能发挥作用,尤其在以下几类场景中表现异常优越:
BCP51-16,115以其卓越的电气性能、广泛的应用范围和高可靠性,成为设计工程师在选择PNP型晶体管时的一款理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业自动化领域,BCP51-16,115都能够为您的设计提供稳定而高效的解决方案,助力工程师迎接技术挑战和市场需求。