晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 10W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@100mA,3V | 特征频率(fT) | 280MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA,1A |
2SAR574D3TL1是一款由Rohm Semiconductor生产的高性能PNP型双极结晶体管(BJT),其具备多种优异的电气特性,广泛应用于功率放大、开关电源、音频功放和其他需要高电流和高电压的电子电路中。该晶体管采用TO-252封装,符合表面贴装型(SMD)设计,便于自动化和高密度PCB布局。
额定电流和电压: 该元器件最大集电极电流为2A,适合大功率应用,同时其击穿电压高达80V,使得其在处理较高电压的应用时具备更好的安全性和稳定性。
DC电流增益(hFE): 2SAR574D3TL1在特定工作条件下具有最低120的电流增益,使得该器件能够有效地放大输入信号。这意味着在较小的基极电流下,它可以控制更大的集电极电流,增强设计的灵活性。
饱和压降: 在50mA和1A的负载条件下,最大饱和压降仅为400mV,这对于电源效率和热管理都是非常有益的特性。低饱和压降意味着更少的能量损耗,降低了发热,对提高整机的性能和运行稳定性起到了关键作用。
频率响应: 其频率跃迁高达280MHz,使这种晶体管在高频率应用中表现出色。对于需要高速开关能力的应用场景(例如RF功率放大器),此项特性尤为重要。
温度环境: 2SAR574D3TL1的工作温度范围高达150°C,适合高温工作环境。这一特点使得其在恶劣环境下的可靠性和耐用性得到保障,适合于汽车电子、工业控制等领域。
2SAR574D3TL1是Rohm Semiconductor推出的一款卓越的PNP型晶体管,具备高电流、高电压以及低饱和压降等特性,适合多种高性能电子应用。其稳定性、效率及广泛的工作环境适应性为工程师们提供了可靠的解决方案,成为通用电子设计中的关键元件。无论是在音频、工业控制还是电源管理领域,2SAR574D3TL1都能够彰显其独特的价值,使其成为电子设计中不可或缺的重要部分。