类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 540mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@4.5V,540mA |
功率(Pd) | 200mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 150pF@16V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@16V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2004WKQ-7 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,专为高频率和低功耗应用而设计,具备优越的电气性能和卓越的热管理能力。这款现场效应管(FET)具有20V的漏源电压(Vdss)和最高540mA的连续漏极电流(Id),适用于驱动电路、负载开关、以及各种信号调理等应用场景。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,便于在现代电子设计中的小型化需求。
电气特性:DMN2004WKQ-7 在25°C时的最大漏极电流可达到540mA,提供稳定的输出能力。该器件的导通电阻(Rds On)在4.5V时的最大值为550毫欧,使其在开启状态下具有极低的功耗。
阈值电压:在额定条件下,本器件的门源阈值电压(Vgs(th))最大为1V(@ 250µA),这意味着它能够以较低的驱动电压实现高效率开关。这种特点使其非常适用于低压工作环境,进一步减少在应用中的能量损耗。
宽工作温度范围:DMN2004WKQ-7 的工作温度范围广泛,能够在-55°C至150°C的极端条件下正常运行。这种广泛的温度适应性确保了在各种工业和汽车应用中的可靠性。
小型化封装:采用 SOT-323 封装(与 SC-70 兼容),该器件的设计目标是支持高密度的电路板布局,尤其适合便携式和智能设备中对空间的严格要求。
输入电容:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)最大值为150pF。这特性使得 DMN2004WKQ-7 在高速切换时具有良好的响应能力。
功率耗散:器件的最大功率耗散能力为200mW(Ta),使其可以在大多数正常应用中表现出色。
DMN2004WKQ-7 由于其优异的电气性能和多属性特点,广泛应用于多种电子电路中,主要包括但不限于:
DMN2004WKQ-7 是一款优秀的 N 通道 MOSFET,凭借其紧凑的封装、高效的电气性能和宽广的工作温度范围,成为众多现代电子产品中的理想选择。无论是在智能设备、工业控制还是供电管理中,它均能提供可靠的性能表现。在未来的电子设计中,DMN2004WKQ-7 将继续发挥其重要作用,助力更为高效、紧凑及灵活的电子解决方案的开发。