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DMN2004WKQ-7
- 商品编码： BM0000744296复制
- 品牌： DIODES(美台)复制
- 封装： SOT-323复制
- 包装： 编带复制
- 重量： 0.000031复制
- 描述： 场效应管(MOSFET) 200mW 20V 540mA 1个N沟道复制
DMN2004WKQ-7参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 150pF |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
DMN2004WKQ-7手册
DMN2004WKQ-7概述
DMN2004WKQ-7 产品概述
概述
DMN2004WKQ-7 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，专为高频率和低功耗应用而设计，具备优越的电气性能和卓越的热管理能力。这款现场效应管（FET）具有20V的漏源电压（Vdss）和最高540mA的连续漏极电流（Id），适用于驱动电路、负载开关、以及各种信号调理等应用场景。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，便于在现代电子设计中的小型化需求。
主要特性
电气特性：DMN2004WKQ-7 在25°C时的最大漏极电流可达到540mA，提供稳定的输出能力。该器件的导通电阻（Rds On）在4.5V时的最大值为550毫欧，使其在开启状态下具有极低的功耗。
阈值电压：在额定条件下，本器件的门源阈值电压（Vgs(th)）最大为1V（@ 250µA），这意味着它能够以较低的驱动电压实现高效率开关。这种特点使其非常适用于低压工作环境，进一步减少在应用中的能量损耗。
宽工作温度范围：DMN2004WKQ-7 的工作温度范围广泛，能够在-55°C至150°C的极端条件下正常运行。这种广泛的温度适应性确保了在各种工业和汽车应用中的可靠性。
小型化封装：采用 SOT-323 封装（与 SC-70 兼容），该器件的设计目标是支持高密度的电路板布局，尤其适合便携式和智能设备中对空间的严格要求。
输入电容：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）最大值为150pF。这特性使得 DMN2004WKQ-7 在高速切换时具有良好的响应能力。
功率耗散：器件的最大功率耗散能力为200mW（Ta），使其可以在大多数正常应用中表现出色。
应用场景
DMN2004WKQ-7 由于其优异的电气性能和多属性特点，广泛应用于多种电子电路中，主要包括但不限于：
- 开关电源：适用于DC-DC转换器，在转换过程中实现高效率的功率管理。
- 逻辑电平转换：在逻辑电平之间进行转换，广泛应用于数字电路和微控制器接口。
- 负载控制：在灯光、马达驱动及其他电子负载控制中，作为开关元件，实现高效能控制。
- 信号调理：在模拟和数字电路中，用于信号的增强与调理。
总结
DMN2004WKQ-7 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其紧凑的封装、高效的电气性能和宽广的工作温度范围，成为众多现代电子产品中的理想选择。无论是在智能设备、工业控制还是供电管理中，它均能提供可靠的性能表现。在未来的电子设计中，DMN2004WKQ-7 将继续发挥其重要作用，助力更为高效、紧凑及灵活的电子解决方案的开发。