PMV250EPEAR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMV250EPEAR

商品编码: BM0033546034
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 480mW;6.25W 40V 1.5A 1个P沟道 TO-236AB
库存 :
91(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.339
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.339
--
3000+
¥0.299
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMV250EPEAR参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)1.5A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)240mΩ@10V,1.3A
功率(Pd)890mW阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@20V工作温度-55℃~+150℃

PMV250EPEAR手册

PMV250EPEAR概述

PMV250EPEAR 产品概述

概述

PMV250EPEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 P 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),它采用表面贴装技术(SMD),具有优异的性能和可靠性。该元器件广泛应用于功率管理、开关电源、负载开关和电机控制等领域,尤其适合需要高效率与小型化的电子产品设计。

主要特性

PMV250EPEAR 的关键参数包括:

  • 漏极电流 (Id): 该 MOSFET 在 25°C 环境下的连续漏极电流可达 1.5A,适合较小功率的应用。
  • 漏源电压 (Vdss): 最大漏源电压为 40V,使其在低到中等电压的应用中表现良好。
  • 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的驱动电压下,最大导通电阻为 240 毫欧(在 1.3A 时),确保在工作状态下极低的功率损耗,使其更加高效。
  • 栅极-源极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.5V(在 250µA 时),适应广泛的控制电压输入。
  • 功率耗散: 该器件在环境温度(Ta)下的最大功耗达到 480mW,而在结温(Tc)下可达 6.25W,确保稳定的长期运行。
  • 操作温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使得 PMV250EPEAR 适用于严酷的工作环境。

封装与安装

该 MOSFET 采用 TO-236AB 封装(也称为 SOT-23-3),能够满足表面贴装设备的要求,便于集成到小型电路板设计中。TO-236AB 封装的尺寸小巧,减少占用电路板空间,提供更好的热管理和效能。

电气特性与性能

PMV250EPEAR 在不同的输入条件下表现出卓越的电气特性:

  • 在 10V 的 Vgs 条件下,其栅极电荷 (Qg) 为 6nC,输入电容 (Ciss) 最大可达 450pF(在 20V 时),确保高效快速的开关响应。
  • 该元件具有 ±20V 的最大栅极驱动电压,能够适应多种应用需求,确保应用灵活性。

应用领域

PMV250EPEAR 广泛应用于多种行业,其典型应用包括但不限于:

  1. 功率管理电路: 在开关电源、蓄电池管理系统和电源调节模块中,用于高效控制电能传输和转换。
  2. 负载开关控制: 用于电机控制、LED驱动和其他负载的开关管理,提升电源效率和产品寿命。
  3. 工业自动化: 在传感器、执行器和控制单元中作为开关元件,执行快速实时控制。
  4. 消费电子: 在便携式设备、家用电器等领域,支持高效的电力开关与管理功能,实现小型化和轻量化产品设计。

总结

PMV250EPEAR 是一款功能强大、性能优越的 P 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度范围、低导通电阻及高漏源电压,能够满足当今多样化电子产品的需求。无论是在高端工业应用,还是消费电子市场,PMV250EPEAR 都为设计师提供了高效、可靠的解决方案,为产品的性能与寿命创造了强有力的保证。