类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 1.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 240mΩ@10V,1.3A |
功率(Pd) | 890mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
PMV250EPEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 P 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),它采用表面贴装技术(SMD),具有优异的性能和可靠性。该元器件广泛应用于功率管理、开关电源、负载开关和电机控制等领域,尤其适合需要高效率与小型化的电子产品设计。
PMV250EPEAR 的关键参数包括:
该 MOSFET 采用 TO-236AB 封装(也称为 SOT-23-3),能够满足表面贴装设备的要求,便于集成到小型电路板设计中。TO-236AB 封装的尺寸小巧,减少占用电路板空间,提供更好的热管理和效能。
PMV250EPEAR 在不同的输入条件下表现出卓越的电气特性:
PMV250EPEAR 广泛应用于多种行业,其典型应用包括但不限于:
PMV250EPEAR 是一款功能强大、性能优越的 P 通道 MOSFET,凭借其宽广的工作温度范围、低导通电阻及高漏源电压,能够满足当今多样化电子产品的需求。无论是在高端工业应用,还是消费电子市场,PMV250EPEAR 都为设计师提供了高效、可靠的解决方案,为产品的性能与寿命创造了强有力的保证。