| 极性 | 单向 | 反向截止电压(Vrwm) | 28V |
| 钳位电压 | 44.7V | 峰值脉冲电流(Ipp) | 13.4A@10/1000us |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 600W@10/1000us | 击穿电压 | 33.9V |
| 反向电流(Ir) | 500nA | 类型 | TVS |
SMBJ28D-M3/H 是由威世半导体(VISHAY)生产的一款高性能齐纳二极管,主要用于瞬态电压抑制(TVS)应用。随着电子设备的复杂性提升,以及对电源保护需求的不断增加,TVS二极管在保护电路中扮演着至关重要的角色。SMBJ28D-M3/H 作为一款高峰值功率、反向击穿电压适中的二极管,适用于多种应用场景,尤其是在电源线路保护和过电压保护上。
SMBJ28D-M3/H 具有以下主要特性:
SMBJ28D-M3/H 的应用非常广泛,包括但不限于以下领域:
SMBJ28D-M3/H 使用DO-214AA(SMB)封装,适合表面贴装(SMD)应用,这种封装方式不仅体积小巧,还能有效降低PCB空间占用。其卷带和贴片包装形式使得在自动化生产过程中安装更为方便快捷,适合大规模生产。
作为一款高可靠性的瞬态电压抑制器,SMBJ28D-M3/H 以其出色的电压保护能力和宽广的工作温度范围,在众多电子设备中展现了强大的应用潜力。威世半导体凭借其先进的科技和严谨的生产流程,确保了SMBJ28D-M3/H 在高新技术应用中的稳定性和安全性。无论是消费电子、工业控制,还是汽车电子,SMBJ28D-M3/H 都能为设计师提供理想的解决方案。