类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,7A |
功率(Pd) | 101W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 870pF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.8pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: NCE65T360D
类型: N沟道 MOSFET
封装类型: TO-263
额定功率: 101W
最大工作电压: 650V
最大连续漏极电流: 11.5A
NCE65T360D 是一款高性能的N沟道MOSFET,由新洁能(NCE)制造。这款MOSFET设计用于高压应用,最高可承受650V的工作电压,且在11.5A的电流下表现出色。其卓越的电气特性和良好的热性能使其非常适合于电源管理、电机驱动和高频开关等多种应用场景。
电气特性:
封装特点:
NCE65T360D广泛用于各种高电压、大电流的电力电子应用,包括但不限于:
NCE65T360D是一款具备高压、高电流能力的N沟道MOSFET,适用于多种功率电子应用。它的设计旨在结合优异的电气特性、良好的散热性能和高可靠性,为客户提供稳定、高效的电子解决方案。无论是在电源管理还是电机控制领域,NCE65T360D均能发挥其独特的优势,是电子工程师们理想的选择。