晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,2V |
功率 - 最大值 | 750mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
PBSS5350D,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的高性能 PNP 型功率晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用场景。这款晶体管采用表面贴装型封装(SC-74,SOT-457),其紧凑的设计使其能够轻松融入各种电路布局中,是一些高效、高密度电路设计的理想选择。
PBSS5350D,115 的设计使其适用于多种电子设备。这款晶体管广泛应用于以下领域:
PBSS5350D,115 是一款可靠的 PNP 晶体管,具有高集电极电流能力和出色的电气性能,适用于多种高效能电子应用。其高增益、低功耗和剧烈工作温度范围的特性,使其成为工程师在设计和应用高效功率电子和信号处理电路时的优选元件。该器件的可用性及卓越的性能,使其在现代电子设计中展现出广阔的市场前景。作为 Nexperia 的高质产品,PBSS5350D,115 不仅代表了技术的先进性,也为各种电路设计提供了极大的灵活性与便利。