IRF7480MTRPBF

产品概述：IRF7480MTRPBF N渠道MOSFET

概述

IRF7480MTRPBF 是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，旨在满足高功率和高效率应用的需求。这款 MOSFET 采用了DirectFET™ Isometric ME 封装技术，以其卓越的热性能和电气特性，广泛应用于电池管理、开关电源、DC-DC 转换器和电动汽车等高功率应用场景。

关键规格

• FET 类型： N 通道
• 技术： MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压 (Vdss)： 40V
• 最大连续漏极电流 (Id)： 217A（在 25°C 环境条件下）
• 最大导通电阻 (Rds On)： 1.2 mΩ @ 132A, 10V
• 驱动电压范围： 6V 至 10V
• 阈值电压 (Vgs(th)) 最大值： 3.9V @ 150μA
• 栅极电荷 (Qg)： 185nC @ 10V
• 最大栅源电压 (Vgs)： ±20V
• 输入电容 (Ciss)： 6680pF @ 25V
• 功率耗散最大值： 96W
• 工作温度范围： -55°C 至 150°C
• 安装类型： 表面贴装型

性能特点

1. 高电流承载能力： IRF7480MTRPBF 支持高达 217A 的连续漏极电流，使其适用于需要高电流驱动的应用，确保系统能够有效管理较大的功率负载。

2. 低导通电阻： 该 MOSFET 的最大导通电阻为 1.2 mΩ，这在高电流应用中有助于降低功耗和热量，提升整体系统效率，从而增加系统的可靠性和寿命。

3. 宽广的工作温度范围： 其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使得 IRF7480MTRPBF 能够在极端环境条件下稳定工作，适合于汽车电子、工控设备等严苛的应用场景。

4. 高效驱动特性： 低的栅极电荷（Qg）使得 IRF7480MTRPBF 能够在高频开关应用中实现快速开关，减小开关损耗，提高系统的响应速度。

5. 优秀的热性能： DirectFET™ 封装设计优化了散热效果，能够有效降低器件的结温，提高功率耗散能力，确保其长时间安全稳定运行。

应用领域

IRF7480MTRPBF MOSFET 的卓越性能使其适用于以下几个重要领域：

• 电源管理： 用于高功率开关电源和DC-DC转换器，以实现高效能量转换。
• 电动汽车： 在电池管理系统和电动驱动控制中提供高效的电流切换。
• 工业控制： 用于电动机驱动和大型设备的高效电流控制。
• 可再生能源： 在太阳能逆变器和风能转换器中应用于高效的功率转换。

总结

总之，IRF7480MTRPBF 是一款出色的高功率 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力和宽温范围，能够在各种高效能电子应用中发挥出色的性能。其设计的 DirectFET™ 封装更是优化了散热和安装效率，使其成为各类现代电子战应用中的理想选择。无论是在电动汽车、工业自动化，还是在可再生能源领域，IRF7480MTRPBF 都能为用户提供可靠的解决方案。