类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 60A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@10V,14.5A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 44nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.135nF@50V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@50V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDMS86101DC是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能N通道MOSFET,专为需要高效能、高可靠性和广泛应用的电子设备设计。其具备优异的电气特性和热管理能力,适用于多种工业和消费类应用。
电压与电流参数:
导通电阻与门极特性:
输入特性:
热管理能力:
工作环境:
封装规格:
FDMS86101DC广泛应用于多个领域,包括但不限于:
FDMS86101DC是安森美的一款高效能N通道MOSFET,它的出色性能参数、宽广的操作温度以及合理的封装设计,使其在现代电子电气应用中占据了重要地位。凭借其强大的电流承载能力和低功耗特性,该器件能够满足从消费电子到工业自动化各种 demanda,对提升系统性能、降低功耗发挥着关键作用。