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DN0150BLP4-7B
- 商品编码: BM0084964691复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: X1-DFN1006-3复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0复制
- 描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transist复制
DN0150BLP4-7B参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 功率 - 最大值 | 450mW |
| 频率 - 跃迁 | 60MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
DN0150BLP4-7B手册

DN0150BLP4-7B概述
DN0150BLP4-7B 产品概述
概述
DN0150BLP4-7B 是一款高性能 NPN 晶体管,专为中低功率电子应用而设计。其出色的电气特性和工作温度范围,适合在各种苛刻环境中使用。这款晶体管在工业、通信设备以及消费电子等领域有广泛的应用。
关键参数
- 晶体管类型: NPN,适合用于需要负载驱动和信号放大的应用。
- 集电极电流 (Ic): 最大值为 100mA,能够满足多种应用的电流需求。
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为 50V,提供良好的电压耐受能力,以保护电路不易受到击穿影响。
- 饱和压降 (Vce(sat)): 在 10mA 和 100mA 的工作条件下,最大饱和压降仅为 250mV,这降低了功耗,提高了设备的能效。
- 截止电流 (Icbo): 集电极截止电流最大值为 100nA,确保在非导通状态下对电路影响最小。
- 直流电流增益 (hFE): 在 2mA 和 6V 的条件下,最小值为 200,保证了在小信号放大及开关应用中的高性能。
- 功率额定值: 最大功率为 450mW,适合各种低功率的应用。
- 频率: 60MHz 的跃迁频率使其在高频应用中表现出色。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C,满足严苛工作环境下的应用要求。
- 封装类型: 表面贴装型 (SMD),简化了自动化生产和组装的过程,减少了占用空间。
- 封装规格: 采用 X2-DFN1006-3 封装,确保良好的散热性能和极小的占板面积。
应用场景
DN0150BLP4-7B 常用于以下领域:
- 工业控制: 其稳定性和可靠性使得该晶体管能够在各种工业自动化系统中用作开关和放大器。
- 通信设备: 在通信基础设施中,该晶体管可以用于放大射频信号,提供清晰可靠的信号传输。
- 消费电子: 在电视、音响系统及其他家电中,DN0150BLP4-7B 可用于音频信号的处理与放大,提升用户体验。
- 汽车电子: 它能够用于汽车系统中的传感器或控制模块,确保数据传输的准确性。
性能优势
DN0150BLP4-7B 具备以下性能优势:
- 高效能: 通过低饱和压降和高电流增益特性,在同类产品中表现出众。
- 广泛的工作温度: 能够在极端温度条件下稳定工作,适合各种应用场景。
- 紧凑封装: 表面贴装设计不仅节省空间,而且提升了电路的集成度。
- 低能耗: 截止电流极低,在待机状态下减少能源消耗,适应绿色环保的趋势。
结论
综上所述,DN0150BLP4-7B 是一款设计精良的 NPN 晶体管,适用于多种电子应用。无论是在工业、通讯还是消费电子领域,它都凭借其优良的电气特性和可靠的性能脱颖而出。选择 DN0150BLP4-7B,不仅能够提升产品的整体性能,也能确保在各类严苛环境下的稳定运行。
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