DXT751-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DXT751-13

商品编码: BM0107671894
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.085g
描述 : 
三极管(BJT) 1W 60V 3A PNP SOT-89-3
库存 :
3233(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.901
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.901
--
2500+
¥0.85
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DXT751-13参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)60V功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1A,2V特征频率(fT)145MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)80mV
工作温度-55℃~+150℃

DXT751-13手册

DXT751-13概述

DXT751-13 产品概述

1. 产品简介

DXT751-13 是一款高性能的PNP型晶体管,属于双极性晶体管(BJT)类别,专为要求较高电流和电压的各种应用而设计。此元器件具有优异的电气性能和较宽的工作温度范围,尤其适合用于电源管理、信号放大和开关电路等多种场合。凭借其出色的特性,DXT751-13适合精密的电子设备和工业应用。

2. 关键参数

  • 电流 - 集电极 (Ic): 该元件可承受最大集电极电流为3A,能够满足大多数中等功率应用的需求,有助于实现高效的信号处理和放大。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大击穿电压为60V,保证了在高压条件下的安全工作,能够适应多种电路布局。
  • Vce饱和压降: 在300mA时,Vce饱和压降最大值为600mV,提供良好的功率损耗管理,有助于增效降低散热需求。
  • 工作温度范围: DXT751-13能够在-55°C至150°C的严苛环境下工作,使其对温度变化具有极大的容忍度,适合高温和低温恶劣环境的应用需求。

3. 应用场景

DXT751-13适用于多种应用场景,例如:

  • 功率放大器: 由于其较高的电流增益(hFE最小值为100 @ 500mA),DXT751-13非常适合用于音频功放及其他信号放大电路。
  • 开关电路: DXT751-13的快速开关特性(跃迁频率为145MHz)使其非常适合用于各种开关应用,包括继电器驱动和电机控制。
  • 电源管理: 其高电流承受能力和低饱和压降特性,使其适用于电源管理电路,提升效率并降低功耗。

4. 封装与安装

DXT751-13采用SOT-89-3封装,具有表面贴装型(SMD)结构,适合自动化生产线的贴片工艺。小型化的封装能够有效节省电路板空间,使得PCB设计更加灵活。

5. 性能优势

  • 高效能:极低的集电极截止电流(ICBO最大值为100nA)和低饱和压降设计,能显著提升电路效率。
  • 广泛温度适应性:广泛的工作温度范围,使其能够在多变的环境中保持稳定性能。
  • 适用性强:DXT751-13可以直接替代许多相似特性的元器件,减少了设计的复杂性及成本。

6. 品牌和可靠性

由DIODES(美台)品牌制造,DXT751-13的性能和可靠性得到了市场的广泛认可。作为一个成熟的供应商,DIODES提供持续的技术支持和品质保障,使用户在采购和设计时更加安心。

7. 结语

DXT751-13不仅仅是一款普通的PNP晶体管,更是一款在多个电路设计中优秀的解决方案。它的高电流承受能力、优异的电气参数及小巧的封装尺寸,使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电信设备中,DXT751-13都能助力构建更高效、更可靠的电子系统。