晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1A,2V | 特征频率(fT) | 145MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 80mV |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DXT751-13 是一款高性能的PNP型晶体管,属于双极性晶体管(BJT)类别,专为要求较高电流和电压的各种应用而设计。此元器件具有优异的电气性能和较宽的工作温度范围,尤其适合用于电源管理、信号放大和开关电路等多种场合。凭借其出色的特性,DXT751-13适合精密的电子设备和工业应用。
DXT751-13适用于多种应用场景,例如:
DXT751-13采用SOT-89-3封装,具有表面贴装型(SMD)结构,适合自动化生产线的贴片工艺。小型化的封装能够有效节省电路板空间,使得PCB设计更加灵活。
由DIODES(美台)品牌制造,DXT751-13的性能和可靠性得到了市场的广泛认可。作为一个成熟的供应商,DIODES提供持续的技术支持和品质保障,使用户在采购和设计时更加安心。
DXT751-13不仅仅是一款普通的PNP晶体管,更是一款在多个电路设计中优秀的解决方案。它的高电流承受能力、优异的电气参数及小巧的封装尺寸,使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是电信设备中,DXT751-13都能助力构建更高效、更可靠的电子系统。