
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
P4SMAJ18ADF-13参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 极性 | 单向 |
| 反向截止电压(Vrwm) | 18V |
| 钳位电压 | 29.2V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 13.7A@10/1000us |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 400W@10/1000us |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 22.1V |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| 类型 | TVS |
P4SMAJ18ADF-13手册
P4SMAJ18ADF-13概述
P4SMAJ18ADF-13 产品概述
1. 产品简介
P4SMAJ18ADF-13是由Diodes Incorporated制造的一款高性能齐纳二极管,专为瞬态电压抑制(TVS)应用而设计。这款器件具有广泛的适用性,能够为各种电子设备提供有效的电源线路保护。
2. 主要参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 封装类型: 2-SMD扁平引线(DFLAT)
- 电压能力:
- 反向断态电压 (Vrwm): 18V (典型值)
- 击穿电压 (Vc): 最小20V
- 最大箝位电压 (Vcl): 29.2V
- 电流能力:
- 峰值脉冲电流 (Ipp, 10/1000µs): 13.7A
- 峰值脉冲功率: 400W
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 应用领域: 通用用途,特别是在电气设备防护和信号线保护中。
3. 性能特点
P4SMAJ18ADF-13使用先进的材料技术,具备优异的电流处理能力和瞬态响应速度,使其能够有效抑制高能脉冲并保护后端电路。其具备的高峰值脉冲功率(400W)、较高的峰值脉冲电流(13.7A)及其宽广的工作温度范畴,使其在不同环境下均能稳定工作。
4. 应用场景
P4SMAJ18ADF-13广泛应用于以下领域:
- 电子设备的电源线路保护:针对电源线中可能出现的瞬态过电压提供保护,避免器件损坏。
- 通讯设备:在信号线路中,能够有效抑制由雷击、电磁干扰等引起的过电压情况。
- 消费电子产品:在手机、平板电脑及其他便携式设备中,对其内部电路进行深层保护,以提升产品的耐用性和可靠性。
5. 设计建议
在设计中选择P4SMAJ18ADF-13时,建议根据实际应用中的最大雷击电流、过电压程度以及预期的工作温度进行合理选择。同时,合理布局PCB并优化散热设计,将有助于提升器件的可靠性。此外,结合电路的具体需求,可考虑在特定的应用场合中安装多个器件,从而提供更为全面的保护。
6. 竞争优势
与其他传统的保护元器件相比,P4SMAJ18ADF-13的优势在于其更高的击穿电压和更小的漏电流,使其在高频率的电路中能够提供更好的一致性和稳定性。同时,表面贴装型的设计可节省空间,使得组装过程更为便捷。
7. 总结
P4SMAJ18ADF-13作为一款功能强大的TVS二极管,不仅为多种电子设备提供了可靠的过电压保护,也在性能和设计上具备了优越的体现。无论是在电源线路保护、通讯设备还是消费电子产品中,其都会是您保护敏感电子元件的理想选择。其来之不易的技术积累及精密的工程设计,使得P4SMAJ18ADF-13成为市场中备受信赖的保护组件之一。
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