
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 47A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
在现代电子设计中,场效应管(MOSFET)是实现高效能和节能的重要器件之一。BSC072N08NS5是由英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道MOSFET,具备卓越的电气性能和广泛的应用场景。该器件的主要特点和技术参数使其非常适用于电源管理、DC-DC转换器和电机驱动等高功率应用。
BSC072N08NS5具有以下显著特性:
BSC072N08NS5采用PG-TDSON-8封装,尺寸为5.2mm x 5.9mm,具有良好的散热性能和小体积特点。8个引脚的设计提高了器件的接合强度,减少了电感,适合于紧凑的电路设计。
封装设计还使得BSC072N08NS5能够支持更高的工作温度,为设计者提供了更大的灵活性。此外,DFN封装不仅减小了占板面积,还改善了电气性能,对高频应用尤其有效。
BSC072N08NS5适用于多种应用,特别是在需要高功率、高效率开关的电路中。主要应用包括:
总的来说,BSC072N08NS5是英飞凌推出的一款性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其80V耐压、74A电流能力和极低的导通阻抗,成为高效电源设计中的关键元件。其小型DFN封装也使得其在紧凑型设计中具有明显优势。无论是在电源管理、驱动技术还是其他高功率应用中,BSC072N08NS5都展现出色的能力,能够为设计者提供可靠和高效的解决方案。