DMP2075UFDB-7
DMP2075UFDB-7参数
| 类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@4.5V,2.9A |
| 功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.8nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 642pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 87pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP2075UFDB-7手册
DMP2075UFDB-7概述
DMP2075UFDB-7 产品概述
DMP2075UFDB-7是一款由美台（DIODES）公司生产的高性能P沟道场效应管（MOSFET），采用现代表面贴装技术（SMD）的U-DFN2020-6封装设计。这种双极MOSFET具备优异的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在众多电子应用中广受青睐，特别是在低电压、高电流的电路中，例如电源管理、低侧开关以及负载开关等。
主要参数
FET类型: DMP2075UFDB-7具有两个P沟道FET，适合需要反向操作电流的应用情形。P沟道MOSFET在电路设计中常用于高侧开关，可以有效控制电源的开断。
漏源电压（Vds）: 该产品的最大漏源电压为20V，使其可用于一些小型电源电路和电子设备。在大多数应用场景中，这个额定值足以提供良好的保护，避免漏电现象。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该MOSFET可承受的最大连续漏极电流为3.8A，这使得其适用于需要较大电流的线路。其高电流承载能力确保了稳健的性能，降低了在负载变化过程中出现过流损害的风险。
导通电阻（Rds(on)）: 在2.9A取流及4.5V栅源电压下，其最大导通电阻为75毫欧。这一特性使得DMP2075UFDB-7能在低功耗运行中保持较高的效率，降低功率损耗，提高系统的整体性能。
阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为1.4V（@250µA），确保其在较低的栅源电压下就能有效开启，适合需要快速响应的电路设计。
栅极电荷（Qg）: 在4.5V的栅源电压下，其最大栅极电荷为8.8nC。这意味着其在开关操作时所需的驱动功率较小，从而减小驱动电路的负担，提高了设计的整体集成度。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为642pF（@10V），这一参数为高频应用提供稳定的工作特性。
功率: 最大功率为700mW，足以处理一般电子应用中的功率需求。
工作温度: 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，能够适应各种极端环境，是严苛条件下电路设计的理想选择。
封装类型: DMP2075UFDB-7采用U-DFN2020-6封装，具有较小的外形尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的应用。
应用场合
DMP2075UFDB-7因其良好的电气特性和宽阔的操作温度范围，适用于多种应用领域，包括：
- 功率管理: 在移动设备、消费电子和各种便携式设备中优化能量管理。
- 电源开关: 适合用于低侧和高侧开关应用，能够有效控制负载。
- 级联放大器: 在音频电路和RF电路中作为放大级使用。
- 电动机驱动: 在电机控制及驱动电路中提供高效的开关功能。
综述
DMP2075UFDB-7是一款多功能、高效率的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度适应能力，使其在众多现代电子应用中提供了可靠且高效的解决方案。无论是在新产品的设计，还是在现有产品的改进中，DMP2075UFDB-7都将是一个值得考虑的电子元件选择。