类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 400mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4Ω@1.8V,50mA |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 550pC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 36pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.6pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN62D1LFDQ-13 是一款由美台(Diodes)公司制造的高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其主要用于开关电路和放大器等多种应用场合。该MOSFET具有良好的电流承载能力和低导通电阻,适合在大多数低功耗电子设备中应用,尤其是在电源管理、负载开关和信号处理电路中表现出色。
DMN62D1LFDQ-13的设计适用于众多电子设备,主要包括但不限于:
DMN62D1LFDQ-13 N通道MOSFET是一款功能强大、性能稳定的小型化元器件,适合于各类低功耗、高效率的电子产品中。凭借其出色的电气特性和广泛的应用领域,该MOSFET在消费者和工业市场中表现良好。美台公司凭借其在半导体行业的丰富经验,为客户提供可靠的解决方案,助力电子工程师在设计和开发现代智能设备时的需求。这款MOSFET以其卓越的性能特点,为高效能电路的实现提供了有力支持。