功率(Pd) | 1.4W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 114.8pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 36mΩ@4.5V,4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.2nC |
漏源电压(Vdss) | 20V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1811nF@10V |
连续漏极电流(Id) | 4A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
AO3415A 产品概述
AO3415A是由台舟电子(TECH PUBLIC)推出的一款高性能场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电力转换和控制电路中。凭借其出色的电气特性,该产品在市场上享有良好的声誉,尤其适合在低压和中等功率应用中使用,如开关电源、DC-DC转换器及其他功率驱动电路。
AO3415A的主要技术参数包括:最大功率消耗(Pd)为1.4W,导通电阻(RDS(on))为36mΩ(在栅极电压4.5V及漏极电流4A时测得),适合高效能要求的应用场景。此外,其反向传输电容(Crss)为114.8pF,这使得AO3415A在高频开关应用中表现良好,能够有效降低开关损耗。
该产品的漏源电压(Vdss)最高可承受20V,并具有连续漏极电流(Id)4A的承载能力,适合于多种电子设备的电源管理和扬声器驱动等应用。工作温度范围广泛,从-55℃到+150℃,确保在极端环境下的稳定工作,这使得AO3415A特别适用于军事、航空及工业自动化等要求高可靠性的应用。
AO3415A具有900mV的阈值电压(Vgs(th)),在250μA的漏电流下该值适中,使其适合低电平驱动。栅极电荷(Qg)为10.2nC,这一特性在高频率开关应用中显得尤为重要,因为小电荷能够降低驱动电路的功耗,使得节能效果显著。
其输入电容(Ciss)在10V时为1.1811nF,电容值适中,能有效减小开关过程中引入的延迟和噪声,使得开关速度更快,更加适合高频应用的需求。
AO3415A适合应用于广泛的领域,包括但不限于:
总之,AO3415A是一个高效、稳定且适应性强的MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流能力以及宽工作温度范围,成为各种电力与转换应用的理想选择。其优良的电气特性和适合多种工作状态的灵活涵盖,使其在现代电子设计中占据重要地位,是各类设计工程师和系统集成商的优选器件。技术不断发展,AO3415A依旧是满足现代电子产品对小型化、高效能需求的解决方案之一。