AO3415A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3415A

商品编码: BM0201362914
品牌 : 
TECH PUBLIC(台舟电子)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET)
库存 :
150(起订量1,增量1)
批次 :
两年内
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
产品参数
产品手册
产品概述

AO3415A参数

功率(Pd)1.4W反向传输电容(Crss@Vds)114.8pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@4.5V,4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10.2nC
漏源电压(Vdss)20V输入电容(Ciss@Vds)1.1811nF@10V
连续漏极电流(Id)4A阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA

AO3415A手册

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AO3415A概述

AO3415A 产品概述

AO3415A是由台舟电子(TECH PUBLIC)推出的一款高性能场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电力转换和控制电路中。凭借其出色的电气特性,该产品在市场上享有良好的声誉,尤其适合在低压和中等功率应用中使用,如开关电源、DC-DC转换器及其他功率驱动电路。

主要参数

AO3415A的主要技术参数包括:最大功率消耗(Pd)为1.4W,导通电阻(RDS(on))为36mΩ(在栅极电压4.5V及漏极电流4A时测得),适合高效能要求的应用场景。此外,其反向传输电容(Crss)为114.8pF,这使得AO3415A在高频开关应用中表现良好,能够有效降低开关损耗。

该产品的漏源电压(Vdss)最高可承受20V,并具有连续漏极电流(Id)4A的承载能力,适合于多种电子设备的电源管理和扬声器驱动等应用。工作温度范围广泛,从-55℃到+150℃,确保在极端环境下的稳定工作,这使得AO3415A特别适用于军事、航空及工业自动化等要求高可靠性的应用。

驱动特性

AO3415A具有900mV的阈值电压(Vgs(th)),在250μA的漏电流下该值适中,使其适合低电平驱动。栅极电荷(Qg)为10.2nC,这一特性在高频率开关应用中显得尤为重要,因为小电荷能够降低驱动电路的功耗,使得节能效果显著。

其输入电容(Ciss)在10V时为1.1811nF,电容值适中,能有效减小开关过程中引入的延迟和噪声,使得开关速度更快,更加适合高频应用的需求。

应用领域

AO3415A适合应用于广泛的领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:由于其较低的导通电阻和高工作温度,这款MOSFET能够有效降低能量损耗,增加系统的能效。
  2. DC-DC转换器:AO3415A能够在多种负载条件下稳定工作,确保后端电路的稳定性与高效性。
  3. LED驱动:在LED照明和显示应用中,该MOSFET能够有效地进行开关控制,并通过优化设计实现更高亮度和更低功耗。
  4. 音频放大器:AO3415A的高电流输出能力能够满足高功率音频放大器的需求,且能在高频条件下稳定工作。

总结

总之,AO3415A是一个高效、稳定且适应性强的MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流能力以及宽工作温度范围,成为各种电力与转换应用的理想选择。其优良的电气特性和适合多种工作状态的灵活涵盖,使其在现代电子设计中占据重要地位,是各类设计工程师和系统集成商的优选器件。技术不断发展,AO3415A依旧是满足现代电子产品对小型化、高效能需求的解决方案之一。