SIRA80DP-T1-RE3

产品概述：SIRA80DP-T1-RE3 N通道MOSFET

SIRA80DP-T1-RE3是一款由领先的电子元器件制造商VISHAY(威世)生产的高性能N通道MOSFET。这款MOSFET在设计上十分注重功率密度、效率和可靠性，适用于广泛的电子应用领域，如电源转换、马达驱动和高效功率管理系统。本文将从产品的基本参数、特性以及应用场景等方面进行详细介绍。

基本参数

1. FET类型 & 技术：

   • 该器件采用N通道技术，是一种金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，拥有较高的输入阻抗和较低的栅极驱动功耗。

2. 电压与电流：

   • 漏源电压（Vdss）为30V，能够适应多种低压应用。
   • 在25°C环境下，连续漏极电流(Id)的额定值为100A，表示该器件具有强大的承载能力，能够满足高功率应用需求。

3. 导通电阻（Rds(on)）：

   • 该器件在10V下，导通电阻的最大值为0.62毫欧@20A。这一特性使得它在导通状态下发热量极小，有助于整体电路的热管理。

4. 栅极阈值电压（Vgs(th)）：

   • 最大阈值电压为2.2V，意味着在实际应用中，这款MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下实现更好的开关性能。

5. 输入电容（Ciss）：

   • 输入电容的最大值为9530pF@15V，较低的输入电容有助于提高开关速度，并减少开关损耗，从而提升系统效率。

6. 功率耗散：

   • 在额定条件下，功率耗散最大可达104W，这使得SIRA80DP-T1-RE3非常适合用于需要高功率处理的场合。

7. 工作温度范围：

   • 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，这使其能在严苛环境下保持稳定工作，适用性广泛。

8. 封装类型：

   • SIRA80DP-T1-RE3采用PowerPAK® SO-8封装，表面贴装类型设计便于自动化焊接和集成，减少了PCB布局面积。

特性与优势

• 高效能：由于低Rds(on)和高电流承载能力，SIRA80DP-T1-RE3能够显著降低功率损耗，提高电源转换效率。

• 快速开关：其较低输入电容和栅极电荷使得其具备优越的开关特性，适合用于高频应用。

• 热管理：高功率耗散能力和宽工作温度范围为电力电子系统提供了良好的热管理特性，有助于延长产品寿命。

• 易于集成：PowerPAK® SO-8封装设计使得电路设计更加紧凑，适合于多种电子设备的集成。

应用场景

SIRA80DP-T1-RE3在多个领域中具有广泛的应用潜力。主要包括：

• 开关电源：在开关电源(SMPS)中作为主要开关元件，SIRA80DP-T1-RE3可有效提高电源的转换效率。

• 马达控制：在电机驱动和控制电路中，用于实现高效的功率转换和控制，提升系统的整体性能。

• 电池管理系统(EMS)：在电池管理系统中，MOSFET可以高效地开关负载，从而优化电池的充放电过程。

• 电力电子系统：广泛应用于各种电力电子设备中，如逆变器、调光器等。

结论

SIRA80DP-T1-RE3 N通道MOSFET以其高效能、可靠性和多用途性，成为现代电子电路中不可或缺的元器件之一。凭借其优越的性能和广泛的应用领域，SIRA80DP-T1-RE3将为设计师和工程师在追求高功率、高效率解决方案的过程中提供强有力的支持。通过使用这款元器件，用户能够确保最终产品在性能和稳定性上的优越表现。