集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 246mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@5.0mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 2.5V@5.0mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.2V@100uA,5.0V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 22kΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMUN2212LT1G 是由安森美(ON Semiconductor)制造的一款高性能 NPN 预偏置数字晶体管。其优良的电气特性使其广泛应用于各种电子电路中,特别是开关电源、放大器和逻辑电路等应用。该器件采用 SOT-23 封装,这种小型表面贴装设计非常适合现代紧凑型电路的需求。
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流和电压规格:
直流电流增益(hFE):
饱和压降:
电流截止特性:
功率额定值:
封装类型:SOT-23(TO-236)
安装类型:表面贴装型
MMUN2212LT1G 的多样化特性使其广泛应用于:
MMUN2212LT1G 是一款性价比高、性能出色的 NPN 预偏置数字晶体管,适合多种电子产品的设计与应用。其小型的 SOT-23 封装使其成为现代电子市场中的重要组成部分。无论是用于信号放大还是开关电源,该晶体管都能够提供可靠的性能与高效能,是电路设计师和工程师的理想选择。选择 MMUN2212LT1G,您将获得高质量、效率及出色的电气性能,助力您的电子产品实现更好的功能与性能。