
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 直流电流增益(hFE) | 215 |
| 特征频率(fT) | 100MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |
| 数量 | 1个PNP |
BCW30,215是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该器件由著名半导体制造商Nexperia(安世)生产,封装形式为TO-236AB(SOT-23),这使得它适合用于表面贴装(SMD)技术,便于在现代电子电路中实现高密度布局。
BCW30,215因其出色的参数指标被广泛应用于多种电子电路中,包括但不限于:
BCW30,215的设计优势不仅体现在其卓越的电气性能上,还体现在其封装形式和工作稳定性方面。TO-236AB封装不仅使其在散热和空间占用方面具备优势,还适应了现代自动化贴片生产流程。此外,Nexperia在半导体技术方面的积累与创新保证了BCW30,215的长期可用性和可靠性。
BCW30,215是一款设计精良、性能优越的PNP三极管,凭借其卓越的电流增益和较低的饱和压降,成为电子设计工程师在选购晶体管时的优选之一。其广泛的应用范围和稳定的工作性能,使得它在各种电子器件中扮演着不可或缺的角色。无论是在消费类电子产品、工业控制,还是在通信设备中,BCW30,215都能提供理想的解决方案,为电子设备的性能提升和功能扩展提供基础支持。