IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 144A | 功率(Pd) | 404W |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 1.9V@15V,80A | 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 171nC |
开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | 关断延迟时间(Td(off)) | 201ns |
导通损耗(Eon) | 2.65mJ | 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ |
反向恢复时间(Trr) | 109ns | 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
RGTVX6TS65DGC11是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为需要高电压和高电流的应用而设计。该产品采用沟槽型场截止技术,能够在-40°C至175°C的宽工作温度范围内正常工作。通过其卓越的导通特性和高开关效率,RGTVX6TS65DGC11适用于电力电子、逆变器、变频器以及电动汽车驱动等各种工业应用。
RGTVX6TS65DGC11的主要参数包括:
RGTVX6TS65DGC11的众多特性使其非常适合多种应用,包括但不限于:
RGTVX6TS65DGC11采用TO-247N封装,具有良好的散热特性和机械强度,适合通孔安装。这种封装形式不仅有助于降低热阻,提高散热性能,还便于在狭小空间内实现高密度集成电路设计。
RGTVX6TS65DGC11 IGBT是一款高效能、高可靠性的功率半导体产品,凭借其广泛的工作温度范围、卓越的开关特性和高电流承载能力,为现代电力电子应用提供了解决方案。无论是用于新兴的电动汽车技术,还是在传统的工业领域,这款IGBT都将为优化能效和提升性能发挥重要作用。通过选用ROHM品牌的RGTVX6TS65DGC11,设计工程师将能够在高要求的应用中实现更高的工作效率和系统可靠性。