RGTVX6TS65DGC11 产品实物图片
RGTVX6TS65DGC11 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RGTVX6TS65DGC11

商品编码: BM0084327703
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TO-247N
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
IGBT管/模块 650V 404W FS(场截止) 144A TO-247N
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
12.24
按整 :
管(1管有30个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥12.24
--
600+
产品参数
产品手册
产品概述

RGTVX6TS65DGC11参数

IGBT类型FS(场截止)集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)144A功率(Pd)404W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)1.9V@15V,80A栅极电荷(Qg@Ic,Vge)171nC
开启延迟时间(Td(on))45ns关断延迟时间(Td(off))201ns
导通损耗(Eon)2.65mJ关断损耗(Eoff)1.8mJ
反向恢复时间(Trr)109ns工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

RGTVX6TS65DGC11手册

RGTVX6TS65DGC11概述

产品概述: RGTVX6TS65DGC11 IGBT

概述

RGTVX6TS65DGC11是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为需要高电压和高电流的应用而设计。该产品采用沟槽型场截止技术,能够在-40°C至175°C的宽工作温度范围内正常工作。通过其卓越的导通特性和高开关效率,RGTVX6TS65DGC11适用于电力电子、逆变器、变频器以及电动汽车驱动等各种工业应用。

关键参数

RGTVX6TS65DGC11的主要参数包括:

  • 工作温度范围:-40°C至175°C(TJ),这使其在极端环境下仍能保持优良的性能。
  • 电压规格:最大集射极击穿电压(Vce)为650V,适用于高电压应用。
  • 电流能力:在标准条件下最大集电极电流(Ic)为144A,支持高负载能力;集电极脉冲电流(Icm)可达到320A,适合瞬态负载情况。
  • 开关特性:开关能量为2.65mJ(开)和1.8mJ(关),这使得该IGBT在开关操作时具备高效能,尤其是在高频开关应用中,具有较低的能量损耗。
  • 导通电压:在额定条件下,Vce(on)最大值为1.9V @ 15V,80A,确保在持续工作状态下实现低导通损耗。
  • 驱动特性:栅极电荷(Qg)为171nC,显示出其易于驱动的特性;同时,开关延迟时间(Td)为45ns(开)和201ns(关),有效提升了开关速度。
  • 反向恢复时间(trr):109ns,适合要求快速恢复时间的应用场景。

应用场景

RGTVX6TS65DGC11的众多特性使其非常适合多种应用,包括但不限于:

  1. 电动车驱动系统:面对电动汽车日益增长的功率和效率要求,RGTVX6TS65DGC11可作为电动车功率变换器的核心组件。
  2. 太阳能逆变器:在将直流电转换为交流电的过程中的高效表现,使其成为太阳能光伏发电系统中关键的功率半导体器件。
  3. 工业电机驱动:可运用于工业机械的电机驱动系统,为复杂工况下的电机控制提供强有力的支持。
  4. 能量储存系统:在大型电池储能系统中,也可有效提升整套系统的效率与稳定性。

封装与安装

RGTVX6TS65DGC11采用TO-247N封装,具有良好的散热特性和机械强度,适合通孔安装。这种封装形式不仅有助于降低热阻,提高散热性能,还便于在狭小空间内实现高密度集成电路设计。

结论

RGTVX6TS65DGC11 IGBT是一款高效能、高可靠性的功率半导体产品,凭借其广泛的工作温度范围、卓越的开关特性和高电流承载能力,为现代电力电子应用提供了解决方案。无论是用于新兴的电动汽车技术,还是在传统的工业领域,这款IGBT都将为优化能效和提升性能发挥重要作用。通过选用ROHM品牌的RGTVX6TS65DGC11,设计工程师将能够在高要求的应用中实现更高的工作效率和系统可靠性。