类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 35A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,9.8A |
功率(Pd) | 3.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 47.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.234nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 526pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP4015SK3-13 是一款高性能的 P 型 MOSFET,专为在中高功率电子应用中的高效能表现设计。该器件具有重要的电气特性和宽广的工作温度范围,使其在各种应用场景下均能表现优越。以下是对该产品的详细介绍。
DMP4015SK3-13 的关键参数包括:
DMP4015SK3-13 在不同的 Id 和 Vgs 条件下具有优秀的导通电阻特性,最大值为11毫欧 @ 9.8A、10V,这在高电流下能够有效降低功率损耗,提高整体系统的效率。另外,其阈值电压 Vgs(th) 的最大值为2.5V @ 250µA,这保证了更低的驱动电压要求,简化了电路设计并降低了驱动功耗。
在不同 Vgs 条件下,该器件的输入电容 (Ciss) 最大值为4234pF @ 20V,较高的输入电容对于高频应用表现良好,能够更快地响应信号变化。而栅极电荷 (Qg) 的最大值为47.5nC @ 5V,为高效驱动提供了基础,尤其在PWM (脉宽调制)控制和开关电源应用中优势显著。
该器件的功率耗散能力为3.5W(在25°C环境下),这使得其能够在多种环境中安全运行。更为重要的是,DMP4015SK3-13 的工作温度范围为-55°C 到 150°C (TJ),这一特色使得产品在严苛环境下,也能保持可靠的性能。
DMP4015SK3-13 采用表面贴装型的 TO-252 封装,也称为 D-Pak。这种封装形式不仅节省空间、便于安装,同时也提升了散热,满足现代电子产品对空间和散热的严格要求。封装规格为 TO-252-3,具有 2 引线和接片布局,适合于自动化生产流程。
DMP4015SK3-13 的高导通能力及低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和其他高频信号开关应用。此外,产品的高温稳定性和可靠性使得其能够胜任汽车电子、工业控制和消费电子等多种领域的应用。
该产品由 DIODES(美台)公司制造,享有良好的信誉和丰富的市场经验。DIODES 作为全球领先的半导体制造商,致力于提供高质量、高性能的电子元器件,在市场上占据了重要地位,保证了产品的可靠性和持续供应。
DMP4015SK3-13 是一款具有极佳性能特征的 P 通道 MOSFET,其设计旨在满足现代电子设备对功效和稳定性的双重需求。其适应广泛应用领域的能力和优越的电气特性,使其成为中高功率电子产品的重要组成部分。设计工程师在选择合适的MOSFET时,DMP4015SK3-13无疑是一个值得考虑的优秀选择。