DMP4015SK3-13
DMP4015SK3-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 9.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47.5nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4234pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMP4015SK3-13手册
DMP4015SK3-13概述
DMP4015SK3-13 产品概述
DMP4015SK3-13 是一款高性能的 P 型 MOSFET，专为在中高功率电子应用中的高效能表现设计。该器件具有重要的电气特性和宽广的工作温度范围，使其在各种应用场景下均能表现优越。以下是对该产品的详细介绍。
1. 基本参数
DMP4015SK3-13 的关键参数包括：
- FET 类型: P 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 40V，适于承受中等电压的应用
- 连续漏极电流 (Id): 14A (在 25°C 时)，这意味着该器件能够处理相对较大的电流，适当的散热设计下更能提升稳定性
- 驱动电压: 最小Rds(on)时4.5V，最大Rds(on)时10V，提供灵活的驱动方式
2. 导通电阻和阈值电压
DMP4015SK3-13 在不同的 Id 和 Vgs 条件下具有优秀的导通电阻特性，最大值为11毫欧 @ 9.8A、10V，这在高电流下能够有效降低功率损耗，提高整体系统的效率。另外，其阈值电压 Vgs(th) 的最大值为2.5V @ 250µA，这保证了更低的驱动电压要求，简化了电路设计并降低了驱动功耗。
3. 输入电容和栅极电荷
在不同 Vgs 条件下，该器件的输入电容 (Ciss) 最大值为4234pF @ 20V，较高的输入电容对于高频应用表现良好，能够更快地响应信号变化。而栅极电荷 (Qg) 的最大值为47.5nC @ 5V，为高效驱动提供了基础，尤其在PWM （脉宽调制）控制和开关电源应用中优势显著。
4. 功率耗散和工作温度
该器件的功率耗散能力为3.5W（在25°C环境下），这使得其能够在多种环境中安全运行。更为重要的是，DMP4015SK3-13 的工作温度范围为-55°C 到 150°C (TJ)，这一特色使得产品在严苛环境下，也能保持可靠的性能。
5. 封装与安装
DMP4015SK3-13 采用表面贴装型的 TO-252 封装，也称为 D-Pak。这种封装形式不仅节省空间、便于安装，同时也提升了散热，满足现代电子产品对空间和散热的严格要求。封装规格为 TO-252-3，具有 2 引线和接片布局，适合于自动化生产流程。
6. 应用领域
DMP4015SK3-13 的高导通能力及低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和其他高频信号开关应用。此外，产品的高温稳定性和可靠性使得其能够胜任汽车电子、工业控制和消费电子等多种领域的应用。
7. 品牌与供应
该产品由 DIODES（美台）公司制造，享有良好的信誉和丰富的市场经验。DIODES 作为全球领先的半导体制造商，致力于提供高质量、高性能的电子元器件，在市场上占据了重要地位，保证了产品的可靠性和持续供应。
总结
DMP4015SK3-13 是一款具有极佳性能特征的 P 通道 MOSFET，其设计旨在满足现代电子设备对功效和稳定性的双重需求。其适应广泛应用领域的能力和优越的电气特性，使其成为中高功率电子产品的重要组成部分。设计工程师在选择合适的MOSFET时，DMP4015SK3-13无疑是一个值得考虑的优秀选择。