类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@2A,4.5V |
功率(Pd) | 700mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 515pF@6V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
产品简介
DMN1014UFDF-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),由美台 (Diodes Incorporated) 生产,专为各种电子应用设计。这款器件具备良好的电流承载能力、高效率和宽工作温度范围,特别适合于低电压、高频开关电路、DC-DC 转换器以及其他要求高效能和紧凑型包装的场合。
基本参数
DMN1014UFDF-7 设计参数如下:
封装特性
DMN1014UFDF-7 采用 U-DFN2020-6 封装,具备 6 个裸露焊盘,适合自动化生产线上的表面贴装。此封装设计不仅优化了热管理,还能提升电源管理性能。紧凑的设计允许在密集的电路板上高效布局,满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
应用场景
DMN1014UFDF-7 广泛应用于多种电子设备,包括但不限于:
结论
总的来说,DMN1014UFDF-7 是一款高效的 N 通道 MOSFET,结合了优良的电气特性和宽广的工作环境,使其成为多个电子设计中的理想选择。凭借其优越的性能和灵活的应用范围,该器件为开发高效能、低功耗的电子产品提供了强有力的支持。美台品牌在市场上的声誉和可靠性,也为用户在选择这个器件时提供了信心保障。