晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 50@100mA,5V | 特征频率(fT) | 30MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+200℃ |
ZTX757 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能单晶体管,属于双极性PNP类型,设计用于广泛的电子应用。其关键特性使其非常适合于信号放大和开关应用。此产品具备多项优越的电气参数和良好的可靠性,适合在严苛环境下使用。
ZTX757 的主要电气特性包括:
电流-集电极截止(ICBO): ZTX757 的集电极截止电流在最大值为 100nA,确保在关断状态下极低的漏电流,极大地提高了电路的能效和稳定性。
饱和压降: 在不同的基础电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,ZTX757 的饱和电压降为最大 500mV(在 10mA 和 100mA 时)。这一参数对于确保快速开关和高效放大至关重要。
集电极电流(Ic)最大值: 此器件最大集电极电流为 500mA,使其适于多种负载条件下的应用。
电压–集射极击穿(Vce)最大值: ZTX757 拥有 300V 的击穿电压,适合需要高电压工作的电路设计,能够为系统安全提供额外的保护。
功率限制: 此单晶体管的最大功耗为 1W,适合在多个应用中提供可靠的性能。
DC 当前增益(hFE): 此器件在 100mA 和 5V 条件下,最小直流电流增益为 50,确保在信号放大应用中有足够的增益。
ZTX757 的跃迁频率为 30MHz,适合于高频应用。这使得其可以处理高速信号,适合在现代通信和数据网络设备中广泛应用。
ZTX757 具有宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 200°C。这一特性确保了其在极端环境中仍能保持可靠的性能,是军用、航空航天及其他高要求应用的理想选择。
ZTX757 适合于多种电子应用,包括:
ZTX757 是一款高性能的PNP双极晶体管,具有优良的电气性能和宽广的工作温度范围,能够满足多种应用需求。其稳健的设计和优质的性能,使其成为各类电子电路中的可靠选择。不论是在通信、音频放大、开关控制还是其他领域,ZTX757 都能提供出色的表现,是电子工程师和设计师们在选择元器件时的理想选择。