STW19NM60N

STW19NM60N 产品概述

STW19NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，广泛应用于各类电源和电子设备中。该器件具备600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id @ 25°C），适用于需要高电压和中等电流应用的场合。

主要特点

1. 高电压能力：STW19NM60N 器件的最高漏源电压为 600V，使其能够处理高电压电源设计，适合于变频器、驱动电路和其他高电压应用。

2. 优良的导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，当漏极电流为 6.5A 时，其最大导通电阻（Rds(on)）为 285 毫欧。这一特性使得该器件在导通状态下的功耗相对较低，从而提高了系统的能效。

3. 快速的开关特性：STW19NM60N 的栅极电荷（Qg）最大为 35nC，表明其具有较快的开关特性。快速的开关速度特别有利于高频应用，能有效降低开关损耗。

4. 广泛的工作温度范围：该器件的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，适合在恶劣环境条件下的可靠运行。这使得 STW19NM60N 可以在汽车、工业控制和其他高温环境下应用，提供更大的设计灵活性。

5. 强大的功率处理能力：STW19NM60N 的最大功率耗散达到了 110W（Tc），这意味着它能够处理更高的功率负载，稳定的性能提升了系统的可靠性。

6. 合理的栅极驱动电压：该器件要求的栅极驱动电压为 10V，具有良好的驱动适应性与兼容性，更易于与现有电源和控制电路配合。

封装与安装

STW19NM60N 的封装形式为 TO-247，具有通孔安装（Through Hole）的特点。TO-247 封装不仅易于散热，而且体积适中，便于在电路板上布局。这种封装设计确保了优良的热管理，适合于高功率密度应用。

应用领域

STW19NM60N 适用于各种高电压高电流的应用场景，包括但不限于：

• 开关电源：在开关电源中，MOSFET 作为主要的开关元件，通过快速的开关特性控制功率输出来实现高效的电源转换。

• 逆变器：在可再生能源系统（如光伏和风能）逆变器中，MOSFET 作为功率控制器件，能够实现直流至交流的高效转换。

• 电机驱动：在电机控制应用中，MOSFET 可用于快速调节电流和电压，以控制电机的速度和转矩。

• 汽车电子：由于其优异的高温性能，STW19NM60N 适合在汽车电子市场中，尤其是在电源管理和驱动电路中找到市场空间。

总结

STW19NM60N 是一款综合性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流能力和优秀的开关特性，广泛用于电源、逆变器、电机驱动和汽车电子等领域。凭借其出色的散热特性与稳固的工作温度范围，这款 MOSFET 对于设计工程师来说，是一个非常有吸引力的选择。无论是在高效能供电解决方案，还是在多个工业应用场合，STW19NM60N 都显示出了其未来的广阔应用前景。