STI6N95K5参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 950V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@760V |
| 输入电容(Ciss) | 450pF |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
STI6N95K5手册
STI6N95K5概述
STI6N95K5 产品概述
一、产品基础信息
STI6N95K5 是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的一种高性能N沟道场效应管(MOSFET),该器件具有显著的电气特性和高耐压能力,广泛应用于电源管理、电动机控制和开关电源等领域。其主要规格为功率90W,耐压950V,具有电流承载能力9A,适合于高压、大功率的应用场景。
二、产品封装与安装
STI6N95K5采用I2PAK(TO-262)封装形式,这种封装设计具有良好的热性能和散热能力,适用于高功率应用。TO-262封装为长引线封装类型,使得该器件在PCB板上的布线和安装更加灵活和方便。
- 封装类型:I2PAK(TO-262)
- 引脚数:3个引脚
- 封装尺寸:适合多种PCB布局设计
三、技术性能
电压与电流能力
- 最大漏极-源极电压(VDS):950V
- 最大漏极电流(ID):9A
- 功率耗散(PD):90W(依据散热条件)
该器件的高耐压能力使其在高压电源设计中表现优异,能够承受瞬时的瞬态电压,应对电源系统中的突发事件。
开关特性
- 低导通电阻(RDS(on)):该器件的设计确保其在导通时具有较低的导通电阻,从而减少能量损耗和发热,提高整体系统的效率。
温度特性
- 工作温度范围:STI6N95K5 设计具备较宽的工作温度范围,适用于恶劣的环境条件,保证其稳定性和可靠性。
四、应用领域
STI6N95K5由于其优越的性能和灵活的安装方式,适用于多种不同的应用场景:
- 电源管理:广泛应用于开关电源和电源适配器中,起到高效开关和调节电流的作用。
- 电动机控制:可用于电动机驱动电路,通过高效的开关特性提高电动机运行的可靠性和效率。
- 辅助电源和静态转换器:在不同的电源系统中,STI6N95K5能够提供可靠的开关控制,维持系统稳定性。
- LED驱动电路:在LED照明或显示屏应用中,采用STI6N95K5可以提高能效和系统的可靠性。
五、总结
STI6N95K5 是一款性能优越、适用范围广泛的N沟道MOSFET,其高耐压和高电流能力使得它在高功率和高效率的应用中表现优异。随着对能效和电源管理要求的提高,STI6N95K5的市场需求日益增长。意法半导体凭借其强大的研发实力和生产能力,确保了该器件的稳定性和可靠性,从而为用户提供了具有竞争力的解决方案。无论是在家电、工业控制还是电动车辆领域,STI6N95K5都是理想的选择,能够帮助工程师更好地应对现代电子产品日益复杂的设计挑战。
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