类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 950V |
连续漏极电流(Id) | 9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.25Ω@10V,3A |
功率(Pd) | 90W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 450pF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STI6N95K5 是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的一种高性能N沟道场效应管(MOSFET),该器件具有显著的电气特性和高耐压能力,广泛应用于电源管理、电动机控制和开关电源等领域。其主要规格为功率90W,耐压950V,具有电流承载能力9A,适合于高压、大功率的应用场景。
STI6N95K5采用I2PAK(TO-262)封装形式,这种封装设计具有良好的热性能和散热能力,适用于高功率应用。TO-262封装为长引线封装类型,使得该器件在PCB板上的布线和安装更加灵活和方便。
电压与电流能力
该器件的高耐压能力使其在高压电源设计中表现优异,能够承受瞬时的瞬态电压,应对电源系统中的突发事件。
开关特性
温度特性
STI6N95K5由于其优越的性能和灵活的安装方式,适用于多种不同的应用场景:
STI6N95K5 是一款性能优越、适用范围广泛的N沟道MOSFET,其高耐压和高电流能力使得它在高功率和高效率的应用中表现优异。随着对能效和电源管理要求的提高,STI6N95K5的市场需求日益增长。意法半导体凭借其强大的研发实力和生产能力,确保了该器件的稳定性和可靠性,从而为用户提供了具有竞争力的解决方案。无论是在家电、工业控制还是电动车辆领域,STI6N95K5都是理想的选择,能够帮助工程师更好地应对现代电子产品日益复杂的设计挑战。