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BSC0906NSATMA1
- 商品编码: BM0084330256复制
- 品牌: Infineon(英飞凌)复制
- 封装: TDSON-8复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0g复制
- 描述: Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 30V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in half-bridge configuration (power stage复制
BSC0906NSATMA1参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Ta),63A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 30A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 870pF @ 15V |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),30W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC0906NSATMA1手册

BSC0906NSATMA1概述
产品概述:BSC0906NSATMA1
1. 概述
BSC0906NSATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能 N 通道 MOSFET,属于 OptiMOS™ 系列。该器件特别设计用于满足现代电源管理系统中对高效率、低功耗和小型化封装的严格要求,特别适合服务器、数据通信和电信应用领域。其优异的性能使其成为电压调节解决方案的理想选择,能够在苛刻的环境中提供高可靠性和卓越的效率。
2. 主要技术参数
- FET 类型:N 通道
- 技术类型:MOSFET(金属氧化物场效应管)
- 漏源电压 (Vdss):30V,适合多种中低压应用
- 最大连续漏极电流 (Id):在 25°C 环境下为 18A;在 Tc 条件下可达 63A,提供强大的电流承载能力
- 驱动电压:具备 4.5V 和 10V 驱动选项,兼容多种控制信号
- 导通电阻:在 30A、10V 条件下,其最大导通电阻为 4.5 毫欧,显著降低电流损耗
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)):最大值为 2V @ 250µA,确保低电压驱动
- 栅极电荷 (Qg):最大值为 13nC @ 10V,降低所需的驱动功率
- 输入电容 (Ciss):870pF @ 15V,优化开关速度,减少能量损耗
- 功率耗散:在环境温度 (Ta) 条件下最大功率耗散为 2.5W;在结温 (Tc) 条件下则为 30W,保证器件在高负载下的稳定性
- 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适合恶劣环境应用
- 封装类型:表面贴装型, PG-TDSON-8-6 封装,具有出色的散热性能和小型化特性
3. 应用场景
BSC0906NSATMA1 的设计优势使其非常适合用于以下几个主要应用场景:
- 电压调节解决方案:在计算机和电信应用中的电源模块中,提供高效率的电压调节。
- 服务器电源管理:由于其低导通电阻和快速开关特性,该MOSFET 在高效能服务器中可以有效提升功率管理的性能。
- 数据通信设备:其优良的 EMI 行为和低功耗特性能够有效延长电池使用寿命,符合现代数据通信设备的需求。
- 便携设备:在笔记本电脑和其他便携式设备中,通过提高电源管理效率,降低功耗。
4. 竞争优势
与市场上其他同类产品相比,BSC0906NSATMA1 的独特之处在于其超低的栅极及输出电荷,结合最小的导通电阻,使得其在小型封装中实现优异的性能,成为行业领导者。英飞凌的 OptiMOS™ 产品系列经过精心设计,具备卓越的在线性能以及提升的 EMI 行为,使其在功能性和可靠性方面具备显著优势。
5. 结论
总之,BSC0906NSATMA1 是一款多面手的 N 通道 MOSFET,适合广泛的电源管理应用。其优异的电气特性、强化散热性能以及高耐温范围,使其在现代电源设计中不可或缺。通过采用这一组件,工程师能够优化电源解决方案,提升设备的整体效率和性能,特别是在当前对高效能和节能技术日益重视的背景下,BSC0906NSATMA1 显得尤为重要。
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