FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Ta),63A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 870pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),30W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-6 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
1. 概述
BSC0906NSATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能 N 通道 MOSFET,属于 OptiMOS™ 系列。该器件特别设计用于满足现代电源管理系统中对高效率、低功耗和小型化封装的严格要求,特别适合服务器、数据通信和电信应用领域。其优异的性能使其成为电压调节解决方案的理想选择,能够在苛刻的环境中提供高可靠性和卓越的效率。
2. 主要技术参数
3. 应用场景
BSC0906NSATMA1 的设计优势使其非常适合用于以下几个主要应用场景:
4. 竞争优势
与市场上其他同类产品相比,BSC0906NSATMA1 的独特之处在于其超低的栅极及输出电荷,结合最小的导通电阻,使得其在小型封装中实现优异的性能,成为行业领导者。英飞凌的 OptiMOS™ 产品系列经过精心设计,具备卓越的在线性能以及提升的 EMI 行为,使其在功能性和可靠性方面具备显著优势。
5. 结论
总之,BSC0906NSATMA1 是一款多面手的 N 通道 MOSFET,适合广泛的电源管理应用。其优异的电气特性、强化散热性能以及高耐温范围,使其在现代电源设计中不可或缺。通过采用这一组件,工程师能够优化电源解决方案,提升设备的整体效率和性能,特别是在当前对高效能和节能技术日益重视的背景下,BSC0906NSATMA1 显得尤为重要。